[发明专利]一种形成极薄功率装置芯片的方法

权利要求书

1、一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤a：提供一个具有原始厚度的半导体晶圆，所述的晶圆具有一组位于其前侧面的预制装置；

步骤b：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的中央区域，为预制装置提供相应的极薄区域，同时保留具有原始厚度的晶圆外围区域，作为结构强度，防止后续操作中的破损；

步骤c：在晶圆背侧形成电阻连接；

步骤d：从晶圆上，分离并收集所述的每一组预制装置，形成极薄芯片。

2、如权利要求1所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的形成电阻连接的步骤进一步包括：

步骤c1：清洁并蚀刻晶圆背侧，以移除其上的污垢和氧化物；

步骤c2：在晶圆背侧上真空沉积背衬金属。

3、如权利要求1所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的形成电阻连接的步骤进一步包括：

步骤c1：使用搀杂剂，向晶圆背侧引入离子，形成一个重搀杂半导体层；

步骤c2：对晶圆进行退火处理，以激活引入的搀杂剂；

步骤c3：清洁并蚀刻晶圆背侧，以移除其上的污垢和氧化物；

步骤c4：在晶圆背侧上真空沉积背衬金属。

4、如权利要求1所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的形成电阻连接的步骤进一步包括：

步骤c1：使用搀杂剂，向晶圆背侧引入离子，形成一个重搀杂半导体层；

步骤c2：清洁并蚀刻晶圆背侧，以移除其上的污垢和氧化物；

步骤c3：在晶圆背侧上真空沉积背衬金属；

步骤c4：对晶圆进行退火处理，以激活引入的搀杂剂。

5、如权利要求1所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的形成电阻连接的步骤进一步包括：探测并标记晶圆的前侧，以从缺陷装置中区分出具有功能的装置。

6、如权利要求5所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的探测并标记晶圆的前侧的步骤，进一步包括：

由于仅减薄中央区域所导致的晶圆背侧的分段形貌，采用一个台阶外形体以匹配和支持晶圆背侧的形貌，防止后续操作中的破损。

7、如权利要求6所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的采用一个台阶外形体的步骤，进一步包括：

在台阶外形体的顶表面上采用一组真空端口，以加强其对晶圆的控制力。

8、如权利要求1所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的分离并收集预制装置的步骤，进一步包括：

步骤d1：把晶圆背侧临时粘结到分割带上，并且可在之后的处理过程中，能在足够的机械强度下从分割带上卸下该晶圆；

步骤d2：将预制装置之间分离开，并从晶圆外围上分离预制装置，同时将单独的预制装置和晶圆外围粘结到分割带上；

步骤d3：采用足够的机械强度，从分割带上拾取并收集单独的预制装置。

9、如权利要求8所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的把晶圆背侧临时粘结到分割带上的步骤，进一步包括：

步骤d11：采用一个尺寸比晶圆大的单侧带，作为分割带，采用一个分割框架来支撑分割带；

步骤d12：使用一个背衬金属板，该背衬金属板的尺寸和外形与减薄的晶圆的中央区域的尺寸和外形充分匹配；

步骤d13：使用面对晶圆背侧的分割带上的粘合层，将切割带夹在晶圆和背衬金属板的中间，借助背衬金属板，下压，将分割带和晶圆背侧紧密粘结，粘结分割带的外围到分割框架上；

步骤d14：移除背衬金属板。

10、如权利要求9所述的一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，所述的将预制装置之间分离开，并从晶圆外围上分离预制装置的步骤，进一步包括：

步骤d21：由于仅减薄中央区域所导致的晶圆背侧的分段形貌，采用一个台阶外形体以匹配和支持晶圆背侧的形貌，防止后续操作中的破损；

步骤d22：将分割带的外侧边缘固定在分割框架上，采用机械分割，从晶圆上分离出预制装置，分割深度略大于晶圆中央区域的厚度。