[发明专利]改善低电压输出的比较器电路架构

权利要求书

1.一种改善低电压输出的比较器电路架构，包括偏压电路、差动对级电路与输出级电路，其特征在于：该差动对级电路分别与具有最低可工作电压的该偏压电路、输出级电路连接，并且该偏压电路最低可工作电压大于该输出级电路电压；在比较器输入差动对级电路与输出级电路之间，增设两个连接至电源电压的电容；

其中该输出级电路包含P型金属氧化物半导体场效应晶体管及N型金属氧化物半导体场效应晶体管，且输出级电路电压是N型金属氧化物半导体场效应晶体管的导通电压。

2.一种改善低电压输出的比较器电路架构，包括偏压电路、差动对级电路与输出级电路，其特征在于：该差动对级电路分别与具有最低可工作电压的该偏压电路、输出级电路连接，并且该偏压电路最低可工作电压大于该输出级电路电压；在比较器输入差动对级电路与输出级电路之间，增设两个连接至接地的电容；

其中该输出级电路包含P型金属氧化物半导体场效应晶体管及N型金属氧化物半导体场效应晶体管，且输出级电路电压是N型金属氧化物半导体场效应晶体管的导通电压。

3.一种比较器电路的操作方法，用于权利要求1或2所述的改善低电压输出的比较器电路架构，其输出状态包括不可预知信号状态、指定电压及正常工作状态，电源电压由零电位爬升或由高电位下降，该操作方法包括以下步骤：

步骤a，开始；

步骤b，判断电源电压是否大于输出级电路电压，若判断结果为是，执行步骤d；若判断结果为否，执行步骤c；其中该输出级电路包含P型金属氧化物半导体场效应晶体管及N型金属氧化物半导体场效应晶体管，且输出级电路电压是N型金属氧化物半导体场效应晶体管的导通电压；

步骤c，比较器输出不可预知信号状态；

步骤d，判断电源电压是否大于偏压电路最低工作电压，若判断结果为是，执行步骤f；若判断结果为否，执行步骤e；

步骤e，比较器输出维持于指定电压；

步骤f，比较器输出为正常工作状态；以及

步骤g，结束。