[发明专利]布线结构及其形成方法无效
申请号: | 200810087411.3 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101276802A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 二瓶瑞久;佐藤信太郎;近藤大雄;粟野祐二 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种布线结构,包括:
一对块状基底导体,其以预定间隔放置并彼此相对;以及
布线,其电连接所述基底导体,
其中所述布线由多个线性结构组成,所述线性结构均由自各所述基底导体的各相对面垂直形成的碳元素制成,且所述线性结构的一部分在所述相对面之间相交并接触,以实现彼此的电连接。
2.如权利要求1所述的布线结构,其中
通过在所述基底导体之间填充金属材料以覆盖所述线性结构,所述布线由包含所述线性结构和所述金属材料的复合材料形成。
3.如权利要求1所述的布线结构,其中
所述各相对面配备有用于所述线性结构的催化剂材料,通过使用所述催化剂材料作为晶核来生长待形成的所述线性结构。
4.如权利要求1所述的布线结构,其中
所述线性结构为碳纳米管或碳纳米纤维。
5.如权利要求1所述的布线结构,其中
所述基底导体由选自包含钛Ti、氮化钛TiN、钨W、钼Mo和银Ag的组中的至少一种元素制成,或者由包含选自该组中的至少一种元素的合金制成。
6.如权利要求1所述的布线结构,其中
组成所述复合材料的所述金属材料由选自包含铜Cu、钛Ti、氮化钛TiN、钨W、钼Mo和银Ag的组中的至少一种元素制成,或者由包含选自该组中的至少一种元素的合金制成。
7.如权利要求1所述的布线结构,其中
水平排列一对或多对所述基底导体,且在横向方向上形成所述布线,以构成层结构。
8.如权利要求7所述的布线结构,其中
以多个层堆叠所述层结构,且多个通路部分插置在所述多个层之间以电连接上方和下方的所述基底导体,从而形成三维布线网结构。
9.如权利要求8所述的布线结构,其中
所述通路部分由所述线性结构制成。
10.如权利要求1所述的布线结构,其中
自所述各相对面形成一个或多个所述线性结构。
11.一种布线结构形成方法,包括如下步骤:
形成一对块状基底导体,使得所述块状基底导体以预定间隔放置并彼此相对;以及
通过自所述各基底导体的各相对面垂直生长均由碳元素制成的多个线性结构来形成布线,使得所述线性结构的一部分在所述相对面之间相交并接触,以实现彼此的电连接。
12.如权利要求11所述的布线结构形成方法,还包括
在生长所述线性结构之后,在所述基底导体之间填充金属材料以覆盖所述线性结构;
其中所述布线由包含所述线性结构和所述金属材料的复合材料组成。
13.如权利要求11所述的布线结构形成方法,还包括
在彼此相对放置的所述各基底导体的各相对面上沉积催化剂材料;
其中利用沉积在所述各相对面上的催化剂材料作为晶核,生长所述线性结构。
14.如权利要求11所述的布线结构形成方法,其中
所述线性结构为碳纳米管或碳纳米纤维。
15.如权利要求11所述的布线结构形成方法,其中
所述基底导体由选自包含钛Ti、氮化钛TiN、钨W、钼Mo和银Ag的组中的至少一种元素组成,或者由包含选自该组中的至少一种元素的合金制成。
16.如权利要求11所述的布线结构形成方法,其中
组成所述复合材料的所述金属材料由选自包含铜Cu、钛Ti、氮化钛TiN、钨W、钼Mo和银Ag的组中的至少一种元素组成,或者由包含选自该组中的至少一种元素的合金制成。
17.如权利要求11所述的布线结构形成方法,其中
水平排列一对或多对所述基底导体,并在横向方向上形成所述布线,以构成层结构。
18.如权利要求17所述的布线结构形成方法,其中
以多个层堆叠所述层结构,且多个通路部分插置在所述多个层之间以电连接上方和下方的所述基底导体,从而形成三维布线网结构。
19.如权利要求18所述的布线结构形成方法,其中
所述通路部分由所述线性结构制成。
20.如权利要求19所述的布线结构形成方法,其中
在形成各所述层结构时,形成被掩埋的绝缘膜以掩埋所述基底导体的至少一部分以及所述布线的至少一部分;
在形成所述通路部分时,形成层间绝缘膜以在所述层结构之间进行掩埋;以及
在形成各所述层结构和所述通路部分之后,移除所述被掩埋的绝缘膜和所述层间绝缘膜。
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