[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包含有一半导体基材，所述半导体基材具有一表面，在所述表面上具有至少一第一接垫及至少一第二接垫；其特征在于：所述半导体封装结构还包含有：一第一保护层、一第一金属层、一第二保护层、一第二金属层及一第三金属层，其中所述第一保护层覆盖在所述半导体的表面上，且外露出所述第一接垫及所述第二接垫；所述第一金属层形成于所述第一保护层上，且与所述第二接垫电性连接；所述第二保护层形成于所述第一金属层上，并暴露出所述第一接垫及部分第一金属层；所述第二金属层形成于所述第二保护层上并电性连接所述第一接垫；以及所述第三金属层所述形成于所述第二保护层上，并与所述第一金属层电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：在所述第二保护层上形成有一第三保护层，所述第三保护层覆盖所述第二保护层、所述第二金属层及所述第三金属层，并暴露出部分第二金属层及部分第三金属层。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一金属层暴露并包围所述第一接垫，并与所述第一接垫电性绝缘，所述第一金属层的材料选自包含有金、银、铜及其等的合金的族群。。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一接垫为一信号输入及输出端，所述第二接垫为一接地端。

5.一种半导体封装结构的制造方法，包含如下步骤：

提供一半导体基材，所述半导体基材具有一表面，在所述表面上设有一第一接垫及一第二接垫；

其特征在于：所述半导体封装结构的制造方法还包含有以下步骤：

在所述半导体基材的表面上形成一第一保护层，所述第一保护层覆盖所述半导体基材的表面，并且外露所述第一接垫及所述第二接垫；

在所述第一保护层上形成一第一金属层，所述第一金属层与所述第二接垫电性连接；

在所述第一金属层上形成一第二保护层，所述第二保护层暴露所述第一接垫及部分第一金属层；

在所述第二保护层上形成一第四金属层；以及

图案化所述第四金属层，以形成一第二金属层及一第三金属层，其中所述第二金属层与所述第一接垫电性连接，所述第三金属层与所述第一金属层电性连接。

6.如权利要求5所述的半导体制造方法，其特征在于：所述方法进一步包含有一在所述第二保护层上形成一第三保护层的步骤，其中所述第三保护层覆盖所述第二保护层、所述第二金属层及所述第三金属层，并暴露部分第二金属层及部分第三金属层。

7.如权利要求5所述的半导体制造方法，其特征在于：在形成所述第一金属层的步骤中，所述第一金属层暴露并包围所述第一接垫，并与所述第一接垫电性绝缘。

8.如权利要求5所述的半导体制造方法，其特征在于：所述第一接垫为一信号输入及输出端，所述第二接垫为一接地端。

9.如权利要求6所述的半导体制造方法，其特征在于：所述第三金属层为凸块底部金属层，所述第二金属层为重新分布金属层。

10.如权利要求7所述的半导体制造方法，其特征在于：所述方法进一步包含有一在暴露出的部分第二金属层及部分第三金属层上电性连接一焊锡凸块的步骤。