[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其具有：在处理容器内与该处理容器绝缘，且通过匹配电路与输出产生等离子体用的高频的高频电源连接的阴极电极；和与该阴极电极相对地设置且通过绝缘体与所述处理容器绝缘的阳极电极，该等离子体处理装置为在所述阴极电极和所述阳极电极中的一个电极上载置有基板，且利用高频电力使处理气体等离子体化并利用该等离子体对基板进行等离子体处理的平行平板型的等离子体处理装置，其特征在于，具有：

在产生等离子体时，在载置基板一侧的电极上施加比产生等离子体用的高频的频率低的偏压用的高频的偏压用的高频电源；

一端侧与所述阳极电极连接且另一端侧与所述处理容器连接，并用于控制从阴极电极经等离子体、阳极电极和处理容器的壁部到所述匹配电路的接地筐体的阻抗值的阻抗调整部；

测定所述阻抗调整部的电压的电压测定部；

位于所述阻抗调整部和电压测定部之间，且当令在阻抗调整部的电压，产生等离子体用的高频的频率为f1，偏压用的高频的频率为f2时，将f1作为通过频带，f1-f2和f1+f2作为衰减频带的带通滤波器；和

当等离子体产生时使所述阻抗调整部的阻抗值发生改变，同时取得由所述电压测定部测定的电压值，根据该电压值，计算流入所述阳极电极的电流值，以使该电流值成为最大值或其附近的方式设定所述阻抗调整部的阻抗值的控制部。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述阻抗调整部包括可变电容器；

设置有驱动调整所述可变电容器的静电容量的微调机构的驱动机构，所述控制部通过所述驱动机构设定可变电容器的电容值，从而设定阻抗调整部的阻抗值。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部根据由电压测定部测定的电压值、所述可变电容器的静电容量值、所述可变电容器以外的构成阻抗调整部的元件的阻抗值、和使所述阳极电极与处理容器绝缘的绝缘体的绝缘电容值，计算流入所述阳极电极的电流值。

4.如权利要求2和3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部，以使所述可变电容器的静电容量值依次增大的方式控制所述驱动机构，当流入所述阳极电极的电流值开始降低时停止所述驱动机构，由此设定所述可变电容器的电容值。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述阻抗调整部由包括所述可变电容器的第一元件单元、和由电容器或电感器构成的第二元件单元的串联电路构成，所述电压测定部测定所述第一元件单元的两端电压或第二元件单元的两端电压。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在阳极电极的面方向中设置有多个所述阻抗调整部，所述控制部设定1个阻抗调整部的可变电容器的电容值，或者同时设定2个以上的阻抗调整部的可变电容器的电容值。

7.如权利要求2～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

设置有存储进行等离子体处理时的处理条件和在该处理条件下决定的可变电容器的微调位置的存储部，当对基板进行等离子体处理时，所述控制部从存储部读出与该处理条件对应的微调位置并控制驱动机构。