[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810087968.7 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101276743A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 道前芳隆;杉山荣二;大谷久;鹤目卓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/56;H01L21/336;H01L21/77;H01L21/84;G06K19/077 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范征 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤；
在基板上形成剥离层；
在所述剥离层上形成元件层，该元件层包括具有非单晶半导体层的有源元件以及覆盖所述有源元件的绝缘层；
在所述元件层上设置纤维体；
自所述纤维体上方涂布包含有机树脂的组合物，形成包括所述有机树脂和所述纤维体的有机树脂层，使所述纤维体被所述有机树脂浸渍；
对所述有机树脂层进行加热，形成包括所述纤维体和所述有机树脂的密封层；以及
从所述剥离层剥离所述元件层和所述密封层。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述方法还包括如下步骤：在所述元件层中形成配线并在所述绝缘层上形成天线，使所述天线通过所述配线电连接到所述非单晶半导体层。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在所述元件层中形成配线，使所述配线电连接到所述非单晶半导体层；以及
设置天线，使所述天线通过所述配线电连接到所述有源元件。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述方法还包括如下步骤：在所述密封层上形成保护膜。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述纤维体由有机化合物或无机化合物形成。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述有源元件是薄膜晶体管、非易失性存储元件以及二极管中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述基板具有绝缘表面，所述剥离层设置在所述绝缘表面上。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤；
在基板上形成剥离层；
在所述剥离层上形成元件层，该元件层包括具有非单晶半导体层的有源元件以及覆盖所述有源元件的绝缘层；
在所述元件层上设置第一纤维体；
自所述纤维体上方涂布包含第一有机树脂的第一组合物，形成包括所述第一有机树脂和所述第一纤维体的第一有机树脂层，使所述第一纤维体被所述第一有机树脂浸渍；
对所述第一有机树脂层进行加热，形成包括所述第一纤维体和所述第一有机树脂的第一密封层；
从所述剥离层剥离所述元件层和所述第一密封层；
使用第二纤维体作为元件层的表面，所述表面是与设有所述第一纤维体的表面对向的表面；
在所述元件层的表面上涂布包含第二有机树脂的第二组合物，形成包括所述第二有机树脂和所述第二纤维体的第二有机树脂层，使所述第二纤维体被所述第二有机树脂浸渍；以及
对所述第二有机树脂层进行加热，形成包括所述第二纤维体和所述第二有机树脂的第二密封层。
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述方法还包括如下步骤：在所述元件层中形成配线并在所述绝缘层上形成天线，使所述天线通过所述配线电连接到所述非单晶半导体层。
10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述元件层中形成配线，使所述配线电连接到所述非单晶半导体层；以及
设置天线，使所述天线通过所述配线电连接到所述有源元件。
11.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述方法还包括如下步骤：在所述第一密封层及所述第二密封层中的任一方上形成保护膜。
12.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第一纤维体和所述第二纤维体由有机化合物或无机化合物形成。
13.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述有源元件是薄膜晶体管、非易失性存储元件以及二极管中的一种或多种。
14.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述基板具有绝缘表面，所述剥离层设置在所述绝缘表面上。
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