[发明专利]制备用于太阳能电池的抗反射或钝化层的方法和装置无效
| 申请号： | 200810088068.4 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101330114A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 罗兰·特拉斯里;斯万·斯拉莫;托马斯·黑格玛尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 用于 太阳能电池 反射 钝化 方法 装置 | ||
1.一种制备用于太阳能电池的具有抗反射和/或钝化功能的涂层的方 法，包括步骤：
在沉积室(1)中提供Si晶片(5)；
将所述Si晶片预加热至大于400℃的温度；和
通过溅射工艺沉积具有抗反射和/或钝化功能的含氢涂层(28)。
2.如权利要求1的方法，其中，使用掺杂Si晶片(5)。
3.如权利要求1的方法，其中，所述涂层(28)是SiN:H层。
4.如权利要求1的方法，其中，所述预加热步骤中的加热通过热辐射 元件(16)进行。
5.如权利要求4的方法，其中，在所述预加热步骤中使用红外线加热 器(16)。
6.如权利要求4的方法，其中，在所述预加热步骤中使用的红外线加 热器(16)能够在1800-3000℃的加热丝温度下操作，和/或发射波长在硅 吸收范围内的辐射。
7.如权利要求1的方法，其中，采用的升温时间等于或小于100s。
8.如权利要求1的方法，其中，采用的升温时间等于或小于50s。
9.如权利要求1的方法，其中，采用的加热速率为4K/s或更高。
10.如权利要求1的方法，其中，采用加热速率为10K/s或更高。
11.如权利要求1的方法，其中，所述Si晶片在预加热时被加热至等 于或大于450℃。
12.如权利要求1的方法，其中，所述Si晶片在预加热时被加热至等 于或大于500℃。
13.如权利要求1的方法，其中，所述预加热步骤在所述Si晶片运动 过程中进行。
14.如权利要求1的方法，其中，所述预加热步骤在工业真空条件下 进行。
15.如权利要求1的方法，其中，所述溅射工艺包括至少一个反应性 溅射步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
