[发明专利]固态摄像元件及其制造方法

权利要求书

1.一种固态摄像元件，其特征在于，

通过光照射而产生电荷的受光部和晶体管的源极/漏极区域被形成在半导体层中，

并包括：包含所述受光部的非硅化区域，其中晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面未被硅化；以及硅化区域，其中至少晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面被硅化，

在所述非硅化区域中，

在晶体管的栅极电极的侧表面上形成有侧壁，

覆盖所述半导体层、所述栅极电极、以及所述侧壁而形成有供氢膜，

在所述供氢膜上形成有阻止硅化的自对准硅化物阻挡膜，

在所述硅化区域中，

在晶体管的栅极电极的侧表面形成有侧壁，而没有形成所述供氢膜以及所述自对准硅化物阻挡膜。

2.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，

所述侧壁在所述硅化区域和所述非硅化区域中具有相同的结构。

3.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，

所述侧壁由作为所述供氢膜的氧化硅膜和作为所述自对准硅化物阻挡膜的氮化硅膜这双层形成。

4.根据权利要求3所述的固态摄像元件，其特征在于，

所述氧化硅膜为HTO膜，所述氮化硅膜为通过低压CVD法而形成的SiN膜。

5.一种固态摄像元件的制造方法，所述固态元件包括：硅化区域，其中至少晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面被硅化；以及非硅化区域，其中晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面未被硅化，所述制造方法的特征在于，包括以下工序：

在半导体层上形成栅极电极；

覆盖所述半导体层以及所述栅极而形成绝缘膜；

对所述绝缘膜进行刻蚀，从而在所述栅极电极的侧表面上形成侧壁；

将所述栅极电极以及所述侧壁作为掩模，在半导体层中形成源极/漏极区域；

覆盖所述栅极电极、所述侧壁、所述源极/漏极区域、以及在半导体层中形成的通过光照射而产生电荷的受光区域来形成供氢膜；

在所述供氢膜上形成自对准硅化物阻挡膜；

除所述非硅化区域以外，去除所述供氢膜以及所述自对准硅化物阻挡膜；

在衬底上形成了金属膜后进行热处理，从而通过所述金属膜与硅的反应，使硅化区域的所述栅极电极的上部和所述源极/漏极区域的上部硅化，由此形成金属硅化膜。

6.根据权利要求5所述的固态摄像元件的制造方法，其特征在于，

在覆盖所述栅极电极而形成所述绝缘膜的工序中，覆盖栅极电极来形成氧化硅膜，并在所述氧化硅膜上形成氮化硅膜。

7.根据权利要求5所述的固态摄像元件的制造方法，其特征在于，

在所述硅化区域和所述非硅化区域中，对所述绝缘膜进行刻蚀，从而形成相同构造的所述侧壁。

8.根据权利要求5所述的固态摄像元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述源极/漏极区域的工序中，在相同条件下进行向所述硅化区域和所述非硅化区域的源极/漏极注入。

9.根据权利要求5所述的固态摄像元件的制造方法，其特征在于，

所述供氢膜由通过使用紫外线光源的等离子CVD法而沉积的氮化硅膜形成。

10.根据权利要求5所述的固态摄像元件的制造方法，其特征在于，

所述自对准硅化物阻挡膜由通过低压CVD法而形成的SiN膜形成。