[发明专利]用于半导体基底的清洗组合物

权利要求书

1、一种用于除去半导体基底上的残留物的组合物，其包含：

a、氟离子源；

b、pH缓冲体系，该体系包含具有至少三个羧酸基团的多元酸和其共轭碱；

c、溶剂，其具有至少一种多元醇；和

d、水。

2、根据权利要求1的组合物，其中所述多元酸的pKa值是约5-约7。

3、根据权利要求2的组合物，其中所述pKa值是约6.0-约6.6。

4、根据权利要求1的组合物，其pH是约6.2-约6.4。

5、根据权利要求1的组合物，其中所述多元酸是三羧酸。

6、根据权利要求5的组合物，其中所述三羧酸是柠檬酸。

7、根据权利要求1的组合物，其中所述多元醇是甘油。

8、根据权利要求1的组合物，其中所述溶剂基本不含一元醇和二元醇。

9、根据权利要求6的组合物，其中所述共轭碱是柠檬酸三铵。

10、根据权利要求1的组合物，其中所述的氟离子源选自氟化铵、氢氟酸、氟化四甲基铵、氟化四丁基铵、氟硼酸盐、氟硼酸、六氟化铝、氢氟甲胺、氢氟乙胺、氢氟丙胺和具有通式R¹N(R²)R³F的脂肪族伯、仲或叔胺的氟化物盐，其中R¹、R²、R³各自分别代表H或(C₁-C₄)烷基。

11、根据权利要求10的组合物，其中所述氟离子源是氟化铵。

12、根据权利要求1的组合物，其中所述氟离子源是氟化铵，所述pH缓冲体系是柠檬酸和柠檬酸三铵溶液，以及所述溶剂是甘油。

13、根据权利要求1的组合物，进一步包含缓蚀剂，所述缓蚀剂选自芳族羟基化合物、炔醇、含羧基的有机化合物和它们的酐、三唑化合物、和它们的混合物。

14、根据权利要求13的组合物，其中所述缓蚀剂选自儿茶酚、五倍子酸、连苯三酚、4-甲基儿茶酚、富马酸和二乙羟胺、和它们的混合物。

15、根据权利要求1的组合物，其基本上由氟化铵、柠檬酸和柠檬酸三铵溶液、水和甘油组成。

16、根据权利要求1的组合物，其基本上由约20wt％-约99wt％的甘油；约30wt％-约90wt％的水，约0.1wt％-约10wt％的29％的柠檬酸或其化学计量等价物的溶液；约0.1wt-约40wt％的50％的柠檬酸三铵或其化学计量等价物的溶液；和约0.1wt％-约10wt％的40％的氟化铵或其化学计量等价物的溶液组成。

17、根据权利要求16的组合物，其基本上由约25wt％-约50wt％的甘油；约40wt％-约70wt％的水，约0.5wt％-约1.5wt％的29％的柠檬酸溶液；约3wt-约7wt％的50％的柠檬酸三铵溶液；和约1wt％-约5wt％的40％的氟化铵溶液组成。

18、一种从基底上除去光刻胶或残余涂层的方法，该方法包括：

a、将具有聚合的或光刻胶残留物的基底与权利要求1的清洗组合物接触；和

b、在所述接触后，从所述基底上除去至少一部分所述清洗组合物，以有效地除去至少一部分的所述涂层。

19、根据权利要求18的方法，其中所述基底是半导体基底。

20、根据权利要求19的方法，其中所述半导体基底包含铜。

21、根据权利要求18的方法，其中所述残留物源自灰化工艺。

22、根据权利要求18的方法，其中所述除去包括用水冲洗所述基底。