[发明专利]集成电路封装

权利要求书

1.一种集成电路，包括

衬底，其包括有源区域；

背面金属，其与有源区域的背面电接触；以及

汽相沉积的封装材料，其封装该有源区域，

其中该封装材料具有小于100μm的厚度。

2.权利要求1的集成电路，进一步包括：

与该有源区域接触并且延伸通过该封装材料的接触。

3.权利要求1的集成电路，其中该衬底包括减薄的衬底。

4.权利要求1的集成电路，其中该封装材料包括等离子体聚合物。

5.权利要求1的集成电路，其中该封装材料包括非晶无机或陶瓷碳。

6.一种半导体晶片，包括：

包括多个管芯的衬底，每个管芯包括有源区域；

背面金属，其与每个管芯的有源区域的背面电接触；以及

汽相沉积的封装材料，其封装每个管芯的有源区域并且在管芯间提供锯切 沟槽，

其中该封装材料具有小于100μm的厚度。

7.权利要求6的半导体晶片，其中该衬底包括减薄的衬底。

8.权利要求6的半导体晶片，其中该封装材料包括等离子体聚合物和非晶 无机或陶瓷碳中的一个。

9.权利要求6的半导体晶片，其中该封装材料具有约2-3ppm/K之间的热 膨胀系数。

10.权利要求6的半导体晶片，其中该封装材料具有370℃以上的熔化温 度。

11.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：

提供包括有源区域的衬底；

在该衬底上汽相沉积封装材料以封装该有源区域；以及

沉积与有源区域的背面电接触的背面金属，

其中沉积封装材料包括沉积该封装材料至小于100μm的厚度。

12.权利要求11的方法，进一步包括：

形成与该有源区域接触并且延伸通过该封装材料的接触。

13.权利要求11的方法，进一步包括：

减薄该衬底。

14.权利要求11的方法，其中沉积该封装材料包括沉积等离子体聚合物。

15.权利要求11的方法，其中沉积该封装材料包括沉积非晶无机或陶瓷碳。

16.权利要求11的方法，其中沉积该封装材料包括沉积具有约2-3ppm/K 之间的热膨胀系数的封装材料。

17.权利要求11的方法，其中沉积该封装材料包括在室温下沉积该封装材 料。

18.一种制造半导体晶片的方法，该方法包括：

提供包括多个管芯的衬底，每个管芯包括有源区域；

刻蚀衬底以在管芯间提供沟槽；

在衬底上汽相沉积封装材料以封装每个管芯的有源区域并且在管芯间提供 锯切沟槽；以及

沉积与每个管芯的有源区域的背面电接触的背面金属，

其中沉积封装材料包括沉积该封装材料至小于100μm的厚度。

19.权利要求18的方法，进一步包括：

形成与每个有源区域接触并且延伸通过该封装材料的接触。

20.权利要求18的方法，进一步包括：

减薄该衬底。

21.权利要求18的方法，其中沉积该封装材料包括沉积等离子体聚合物和 非晶无机或陶瓷碳中的一个。

22.权利要求21的方法，其中沉积该封装材料包括沉积聚对亚苯基二甲基。

23.权利要求18的方法，其中沉积该封装材料包括沉积具有约2-3ppm/K 之间的热膨胀系数的封装材料。

24.权利要求18的方法，其中沉积该封装材料包括沉积具有370℃以上的 熔化温度的封装材料。