[发明专利]用于降低功耗的读出放大器和半导体存储器件与操作方法无效
申请号: | 200810088117.4 | 申请日: | 2008-01-15 |
公开(公告)号: | CN101281781A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 徐胜荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 降低 功耗 读出 放大器 半导体 存储 器件 操作方法 | ||
1.一种读出放大器,包括:
电流放大器,配置成响应于第一控制信号输出第一和第二电压信号,所述第一和第二电压信号是基于一对输入/输出线之间的所检测的电流差而输出的;
电压放大器,配置成基于所述第一和第二电压信号之间的所检测的电压差而生成第三和第四电压信号,所述第三和第四电压信号是响应于第二控制信号而生成的;
第一锁存电路,配置成锁存所述第三和第四电压信号,并且响应于该第二控制信号而输出第一输出信号;
第二锁存电路,配置成锁存所述第一和第二电压信号,并且响应于第三控制信号而输出第二输出信号;以及
输出电路,配置成对于该第一输出信号和该第二输出信号执行逻辑运算,并且输出该逻辑运算的结果作为结果信号。
2、根据权利要求1的读出放大器,其中该电流放大器还被配置成,
检测在该对输入/输出线之间的该电流差,
放大所检测的电流差,以及
基于所放大的电流差输出所述第一和第二电压信号。
3、根据权利要求1的读出放大器,其中该电压放大器是电流反射镜型电压放大器。
4、根据权利要求1的读出放大器,其中该第一锁存电路和该第二锁存电路中的每一个都是交叉耦合型锁存电路。
5、根据权利要求1的读出放大器,其中基于行地址信号选择性地使能该第二控制信号和该第三控制信号。
6、根据权利要求5的读出放大器,其中基于第一行地址信号生成该第二控制信号。
7、根据权利要求6的读出放大器,其中当将该字线分成至少两组时,该第一行地址信号寻址在距该输入/输出读出放大器第一距离的一组中的字线。
8、根据权利要求7的读出放大器,其中基于第二行地址信号生成该第三控制信号。
9、根据权利要求8的读出放大器,其中当将该字线分成至少两组时,该第二行地址信号寻址在距该输入/输出读出放大器第二距离的一组中的字线,该第二距离小于该第一距离。
10、根据权利要求1的读出放大器,其中该输出电路对该第一输出信号和该第二输出信号进行逻辑相乘以生成相乘后的信号,并且输出该相乘后的信号。
11、根据权利要求1的读出放大器,其中将该第一锁存电路和该第二锁存电路预充电至第一电压电平。
12、根据权利要求1的读出放大器,其中将该第一输出信号和该第二输出信号变换成CMOS电压电平。
13、一种半导体存储器件,包括:
存储数据的至少一个存储单元阵列;和
至少一个如权利要求1所述的读出放大器,所述至少一个读出放大器通过该对输入/输出线从所述至少一个存储单元阵列中的对应一个存储单元阵列接收数据信号。
14、一种操作读出放大器的方法,该方法包括:
响应于第一控制信号生成第一和第二电压信号,所述第一和第二电压信号是基于一对输入/输出线之间的所检测的电流差而生成的;
基于所述第一和第二电压信号之间的所检测的电压差而输出第三和第四电压信号,所述第三和第四电压信号是响应于第二控制信号而输出的;
锁存所述多个电压信号;
基于所述第三和第四电压信号并响应于该第二控制信号,而生成第一输出信号;
基于所述第一和第二电压信号并响应于第三控制信号,而生成第二输出信号;
对于该第一输出信号和该第二输出信号执行逻辑运算;并且
输出该逻辑运算的结果作为结果信号。
15、根据权利要求14的方法,其中生成该第一和第二电压信号的步骤包括,
检测在一对输入/输出线之间的电流差,
放大所检测的电流差,以及
响应于该第一控制信号输出该第一和第二电压信号。
16、根据权利要求14的方法,其中当禁用该第二控制信号时,该第一输出信号保持第一电压电平,而当禁用该第三控制信号时,该第二输出信号保持该第一电压电平。
17、根据权利要求14的方法,其中基于第一行地址信号生成该第二控制信号。
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