[发明专利]改变化学电阻传感器的灵敏度和/或选择性的方法

权利要求书

1.改变化学电阻传感器的灵敏度和/或选择性的方法，所述化学电阻传 感器包括具有被包埋在非导电性基质中的许多导电性或半导电性颗 粒的敏感层，该敏感层包括许多可氧化的化学官能团，所述方法包 括以下步骤：

让所述敏感层进行氧化反应，

其特征在于所述方法应用于多个化学电阻传感器的化学电阻 传感器阵列，各所述传感器具有所述敏感层，其中不同所述传感器 的所述敏感层进行氧化反应到不同程度。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于所述氧化反应是受控制的氧化 反应而没有让该传感器未受规定地暴露于空气。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于所述氧化反应是通过气相的反 应和/或通过液相的反应。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于所述反应包括下列气相反应中 的任何一种或几种：

-让所述敏感层在规定的空气温度下暴露于空气达到规定的一 段时间，

-让所述敏感层暴露于臭氧，

-让所述敏感层暴露于氧等离子体，

-让所述敏感层暴露于SO₃，

-让所述敏感层暴露于氮氧化物。

5.根据权利要求3的方法，其特征在于所述氧化反应包括下列液相反 应中的任何一种或几种：

-让所述敏感层暴露于过氧化氢水溶液，

-让所述敏感层暴露于KMnO₄水溶液。

6.根据权利要求4-5中任何一项的方法，其特征在于所述暴露是通过 使用在180-1200nm范围内的波长的电磁辐射辐射所述敏感层下发 生。

7.根据权利要求4的方法，其特征在于所述暴露于臭氧、氧等离子体、 SO₃或氮氧化物的过程经历了在1秒至600秒范围内的一段时间。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，在所述敏感层内，可氧化的 化学官能团被所述氧化反应氧化。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于仅仅一定比例的所述许多可氧 化的化学官能团被所述氧化反应氧化。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于所述导电性或半导电性颗粒是 具有<1μm的平均直径的颗粒。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于所述颗粒是金属颗粒或半导体 颗粒。

12.根据权利要求10的方法，其特征在于所述颗粒选自金属颗粒、半导 电性纳米粒子、从有机材料形成的导电性或半导电性纳米粒子。

13.根据权利要求12的方法，其特征在于所述金属颗粒是贵金属颗粒， 造币用金属颗粒，或这些金属在单个纳米粒子中的结合。

14.根据权利要求13的方法，其特征在于所述贵金属颗粒是Au、Pt、 Ag、或Pd颗粒，所述造币用金属颗粒是Cu、Ni、或Fe颗粒，所 述这些金属在单个纳米粒子中的结合是合金或芯/壳金属纳米粒子。

15.根据权利要求12的方法，其特征在于所述半导电性纳米粒子为II/VI 半导体粒子或III/V半导体粒子。

16.根据权利要求15的方法，其特征在于II/VI半导体粒子为CdS、CdSe、 CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、或HgTe粒子，所述III/V 半导体粒子为GaAs、或InP粒子。

17.根据权利要求12的方法，其特征在于所述从有机材料形成的导电性 或半导电性纳米粒子是导电聚合物粒子。

18.根据权利要求12的方法，其特征在于所述导电性颗粒是炭黑颗粒或 金属装饰的炭黑颗粒。

19.根据权利要求18的方法，其特征在于所述金属装饰的炭黑颗粒是 Pt/炭黑或PtRu/炭黑纳米粒子。