[发明专利]电流驱动装置及其驱动方法以及使用该装置的显示装置

权利要求书

1、一种电流驱动装置，通过向多个负载施加电流而操作这些负载，该电流驱动装置包括：

分别与上述多个负载连接的多个输出端子(Tout)；

单参考电流产生电路(10)，产生和输出具有彼此不同的电流值的参考电流；

至少一个参考电流存储电路(90)，读取和保存多个参考电流中的每一个，并根据各个参考电流输出多个灰度级参考电流；

至少一个灰度级电流产生电路(SWB)，根据输入信号选择各个灰度级参考电流中的任何一个并产生灰度级电流；和

多个电流存储电路(30)，顺序读取和保存各个灰度级电流并向各个输出端子同时输出基于这些灰度级电流的驱动电流。

2、根据权利要求1的电流驱动装置，其中单参考电流产生电路(11)包括多个参考电流产生单元，产生和输出各个参考电流且并联设置。

3、根据权利要求2的电流驱动装置，其中所述输入信号是具有多个位的数字信号，和

从各个参考电流产生单元(91)输出的各个参考电流的电流值具有对应所述数字信号的各个位的加权值。

4、根据权利要求1的电流驱动装置，其中所述参考电流存储电路包括多个参考电流存储单元(91)，所述参考电流存储单元单独读取从所述参考电流产生电路输出的各个参考电流，保存对应各个参考电流的电压分量，并根据各个电压分量输出灰度级参考电流。

5、根据权利要求4的电流驱动装置，其中每个所述参考电流存储电路单元(91)具有电容元件，在该电容元件中写入对应所述参考电流的电荷做为电压分量。

6、根据权利要求5的电流驱动装置，其中每个所述参考电流存储电路单元(91)具有使上述操作电流在其源极和漏极之间流动的场效应型晶体管，和

所述电容元件在所述场效应型晶体管的源极和漏极之间至少具有寄生电容。

7、根据权利要求1的电流驱动装置，其中所述参考电流存储电路包括：

一对参考电流存储电路部分(92)，其包括并联设置的多个参考电流存储单元；和

控制部分，该控制部分交替地执行以下两种操作：在一个参考电流存储电路部分中读取从所述参考电流产生电路输出的参考电流并保存对应该参考电流的电流值的电压分量；和根据被保存在另一参考电流存储电路部分中的电压分量输出所述灰度级参考电流。

8、根据权利要求1的电流驱动装置，其中所述输入信号是具有多个位的数字信号，和

所述灰度级电流产生电路(SWB)，根据所述输入信号的位值选择各个灰度级参考电流的中任何一个，添加被选择的灰度级参考电流并产生灰度级电流。

9、根据权利要求1的电流驱动装置，其中所述电流存储电路包括电压分量保存单元，该电压分量保存单元读取从所述电流产生电路输出的灰度级电流并保存对应该灰度级电流的电流值的电压分量。

10、根据权利要求9的电流驱动装置，其中所述电压分量保存单元具有电容元件，在该电容元件中写入对应该灰度级电流的电荷做为电压分量。

11、根据权利要求10的电流驱动装置，其中所述电压分量保存单元具有使灰度级电流在其源极和漏极之间流动的场效应型晶体管，和

所述电容元件在所述场效应型晶体管的源极和栅极之间至少具有寄生电容，并且基于所述灰度级电流的源极和栅极之间的电压被写入该电容元件中。

12、根据权利要求11的电流驱动装置，其中所述场效应型晶体管的迁移率的值至少为约200cm²/Vs或更大。

13、根据权利要求1的电流驱动装置，其中所述参考电流存储电路、所述电流产生电路、所述电流存储电路以及所述输出端子形成在至少一个半导体芯片上。

14、根据权利要求13的电流驱动装置，其中所述参考电流产生电路形成在不同于上述半导体芯片的半导体芯片上。

15、根据权利要求13的电流驱动装置，其中所述参考电流产生电路形成在所述半导体芯片中。