[发明专利]电容器用铌粉及其烧结体和使用该烧结体的电容器无效
申请号: | 200810088327.3 | 申请日: | 2001-11-30 |
公开(公告)号: | CN101335133A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 内藤一美;永户伸幸 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/052;C22C32/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 项丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 器用 及其 烧结 使用 电容器 | ||
1.电容器用铌粉,具有80-500μm的平均粒径,它是含氧量为3-9质量%的粒状粉末。
2.依据权利要求1所述的电容器用铌粉,其比表面积在0.2-15m2/g之间。
3.依据权利要求1或2所述的电容器用铌粉,它被部分氮化。
4.依据权利要求3所述的电容器用铌粉,其氮化量为10-100,000ppm。
5.烧结体,它使用上述权利要求1-4中任一项所述的电容器用铌粉。
6.依据权利要求5所述的烧结体,其比表面积在0.2-5m2/g之间。
7.电容器,它是由上述权利要求5或6所述的作为一部分电极的烧结体、形成于该烧结体表面的电介质材料及位于电介质材料上的另一部分电极所构成的。
8.依据权利要求7所述的电容器,其电介质材料主要由氧化铌组成。
9.依据权利要求8所述的电容器,其氧化铌通过电解氧化形成。
10.依据权利要求7-9中任一项所述的电容器,其另一部分电极是选自电解溶液、有机半导体或无机半导体的至少一种材料。
11.依据权利要求10所述的电容器,其另一部分电极由一个有机半导体组成,此有机半导体选自下列有机半导体中的至少一种:包含苯并吡咯啉四聚物和氯醌的有机半导体,主要包含四硫代并四苯的有机半导体,主要包含四氰基醌二甲烷的有机半导体,以及主要包含一下述导电性聚合物的有机半导体,所述导电性聚合物是通过将掺杂剂掺入聚合物而制得的,被掺入掺杂剂的聚合物包含两种以上的由以下化学式(1)或(2)表示的重复单元:
式中,R1-R4各表示氢原子、1-6个碳原子的烷基、或1-6个碳原子的烷氧基;X表示氧原子、硫原子或氮原子;R5仅存在于X为氮原子时,表示氢或1-6个碳原子的烷基;R1与R2,以及R3与R4能互相结合成环;
其中,所述掺杂剂为硫醌系掺杂剂、蒽单磺酸系掺杂剂、阴离子掺杂剂、或者电子受体掺杂剂。
12.依据权利要求11所述的电容器,其有机半导体是选自聚吡咯、聚噻吩聚苯胺和它们的取代衍生物中的至少一种。
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