[发明专利]曝光绘图装置有效
申请号: | 200810088523.0 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101276156A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 野中纯;李德;小林义则 | 申请(专利权)人: | 株式会社ORC制作所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03B27/32;H05K3/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 绘图 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种在电路板、液晶组件用玻璃基板、PDP用玻璃组件基板等平面基体材料的表面形成图案的曝光绘图装置。
背景技术
电路板(或印刷电路板)被搭载于行动电话、各种行动装置(mobile)及个人计算机等电子机器。搭载于这些电子机器的基体材料的图案,倾向于要求其线宽度、连接用面(land)径、及孔(via)径等相当细微的构成;而且,要求在短期间内生产多品种、量少的产品。对应于这些要求,在曝光工程中,有缩短曝光装置的波长,且增加光量等的对策。然而,以公知的曝光装置,即使是接触方式或投影曝光方式,光罩为必要的,在光罩的准备、管理及维持方面,难以符合要求。
因此,使构成图案的数据从CAD数据直接作为曝光光线的信号,在电路板绘图的曝光绘图装置的要求变高。在专利文献1、专利文献2、或专利文献3被揭露的曝光绘图装置,基于CAD数据,驱动DMD(DigitalMicro-mirror Device,数字微型反射镜组件)组件的反射镜,用曝光光线在被曝光体上直接绘图,而不需要光罩(photomask)。
[专利文献1]日本特开2006-113413
[专利文献2]日本特开2006-343684
[专利文献3]日本特开2006-337475
然而,公知的曝光绘图装置由于使用405nm激光作为照射至被曝光媒体的光线,在被曝光媒体形成图案的反应速度变慢,会妨碍电路形成的生产性。另外,有关在大型基板的被曝光体全面形成图案时,需搭载多个空间光调制组件,在这些组件照射强的激光光会有成本的问题。
本发明的目的在于提供一种曝光绘图装置,搭载着少数光源和多个作为空间光调制组件的DMD组件,在确保高运转率的同时,可确认此光源的光量。
发明内容
第一观点的曝光绘图装置包括:光源,照射包含紫外线的光;有孔构件,设有用于将光源分离成第一光束及第二光束的第一开口窗及第二开口窗、以及光量检测用的检测窗;第一及第二光学组件,将通过第一开口窗及第二开口窗的第一光束及第二光束分别反射;第一光量传感器,配置在第一及第二光学组件的附近,检测出来自光源通过检测窗的光量。
此构成的曝光绘图装置,由于在有孔构件的检测窗的下流具备第一光量传感器,可检测出分离前的光源的光量。此外,通过在第一及第二光学组件的附近配置第一光量传感器,可有效地利用空间。另外,由此可根据适当的曝光光线IL进行绘图。
第二观点的曝光绘图装置包括:第一空间光调制部,将在光学组件被反射的第一光束根据被供给的第一图像数据进行空间调制;第二空间光调制部,将在第二光学组件被反射的第二光束根据被供给的第二图像数据进行空间调制;以及空间调制控制部,对应于在第一光量传感器被检测出的光量,控制第一或第二空间光调制部的空间调制。
照射于被曝光体的光量必须以预定的强度照射。第二观点的曝光绘图装置,在来自第一光量传感器的被检测出的光量强的情形等,控制部可通过第一或第二空间光调制部进行缩短第一光束或第二光束朝向被曝光体方向的时间(曝光时间)等的控制。
第三观点的曝光绘图装置包括保持被曝光体、速度可变化的被曝光体台,其中控制部对应于在第一光量传感器被检测出的光量、变化被曝光体台的移动速度。
通过此构成,第三观点的曝光绘图装置,在来自第一光量传感器的被检测出的光量强的情形等,控制部可使被曝光体台的移动速度变快。
第四观点的曝光绘图装置包括供给电力至光源的电力供给源,其中控制部对应于在第一光量传感器被检测出的光量、调整电力供给源的电力供给。
通过此构成,第四观点的曝光绘图装置,在来自第一光量传感器的被检测出的光量强的情形等,控制部可使电力供给源的电力供给变小。由此可适当的曝光光线IL进行绘图。
第五观点的曝光绘图装置的第一及第二光学组件,具有使通过检测窗的光束通过的透过部。
由于第一及第二光学组件具有透过部,可将第一光量传感器配置在第一及第二光学组件的下侧,可将空间有效地利用。
第六观点的曝光绘图装置的光源为高压水银灯,当上述第一光量传感器被检测出的光量到达预先被设定的预定的值之后,可操作曝光绘图装置的输入装置。
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