[发明专利]电性光学装置

说明书

技术领域

本发明涉及电性光学装置，特别是涉及具备配置于中央部的像素部、及用以在周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底的端子部的电性光学装置。

背景技术

在如液晶显示装置的电性光学装置中，将进行显示的像素部配置于中央部，并在其周边部配置用以驱动像素部的电路。在进行驱动的电路为较大规模或是较为高速的情况等，而必须使用配置有其它半导体电路或其它配线衬底的半导体电路时，在电性光学装置的周边部设置端子部，并安装其它半导体电路或其它配线衬底。

如此，当必须在中央部设置像素部、在周边部设置端子部时，较佳为在同一步骤中形成像素部及端子部。

例如在专利文件1中揭示有一种在显示装置等中，适用于COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)技术的端子部的形成方法。在此，在像素部的形成钼栅极电极的同一步骤中，也在端子部形成钼配线，在形成像素部的数据线的同一步骤中，也在端子部形成连接配线。之后，在全面形成保护膜及平坦化层，然后，在像素部中去除数据线上的平坦化层的同一步骤中，将端子部中比数据线的终端部更外侧的平坦化层予以去除。之后，在像素部中在保护膜形成接触孔的同一步骤中，也在端子部将保护膜相对较宽地予以去除。然后在像素部，在平坦化层上形成与所述接触孔连接的透明导电膜而作为像素电极，在端子部，在连接配线上形成透明导电膜，在其上适用COG技术。在此，数据线及连接配线使用钼/铝/钼的堆叠结构或钛/铝/钛的堆叠结构，保护膜使用SixNy(氮化硅)，平坦化层使用丙烯酸树脂，透明导电膜使用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。端子部也使用ITO或IZO，为了在从端子部的形成至COG的安装为止的显示装置的制造步骤中，可抑制端子部腐蚀的产生和端子部表面的氧化覆膜的形成，可获得COG安装时的良好的电性连接，以及确保COG安装后的产品的可靠性。

专利文件1：日本特开2006-309028号公报

发明内容

(发明所期望解决的课题)

如上所述，在专利文件1中，像素部的形成中所使用的钼配线、钼/铝/钼的堆叠结构或钛/铝/钛的堆叠结构、以及透明导电膜，也分别用于端子部的形成。

在此叙述钼系与钛系作为连接配线层，两者各有优缺点。即，在钼系中，容易进行湿式蚀刻，并且由环境气体所形成的表面膜为氧化膜或氢氧化膜，而容易以水等予以去除，但相反的，不易进行干式蚀刻，因此精细化的程度有所限制。另一方面，钛系可进行干式蚀刻而有益于精细化，但却容易氧化，例如在其上形成氧化铟锡时，则会由于其形成环境气体产生氧化膜等，使界面电阻上升。

此外，随着配线及端子部的精细化的进展，虽然如专利文件1所述的SixNy的保护膜，也可通过使用氟系气体的干式蚀刻而形成为期望的形状，但此时的含氟的反应性成分，作为表面生成物而形成于连接配线的表面。在连接配线为钼系时，可通过水等的洗净，使这些表面生成物与氢氧化钼膜一同去除，但在钛系时，仅通过水洗净不易予以去除。

如此，为了配线和端子部的精细化，虽然较佳为仍使用钛系连接配线，但如上述，端子部的连接配线与氧化铟锡之间的界面电阻的增加，以及难以去除表面生成物，仍是需要解决的课题。

本发明的目的在于提供一种电性光学装置及电性光学装置制造方法，可抑制随着透明导电膜的形成所造成的界面电阻的增加。此外，其它目的在于提供一种电性光学装置及电性光学装置制造方法，可容易将使用氟系气体进行干式蚀刻时所产生的表面生成物予以去除，而能够抑制界面电阻的增加。以下的手段对于这些目的中至少一项具有贡献。

(用以解决课题的手段)

本发明的电性光学装置，具备：像素部，配置于中央部；及端子部，用以在周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底；而前述端子部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构：端子用连接配线，具有含钛的最上层；端子用中间膜，是由可进行湿式蚀刻的导电材料所构成；以及端子用透明导电膜。

上述构成的电性光学装置，在端子部的堆叠结构中，在透明导电膜与含钛的层之间配置中间膜。由此，相比于直接在含钛的层上形成透明导电膜，更能够抑制氧化膜的形成并抑制界面电阻的增加。

此外，例如在中间膜形成后形成SixNy的保护膜时，由于以氟系干式蚀刻所形成的表面生成物也形成于中间膜上，因此容易通过中间膜表面的湿式蚀刻，或是因情况的不同而通过水等的洗净予以去除。