[发明专利]输入/输出线读出放大器和使用其的半导体存储设备无效
| 申请号： | 200810088642.6 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101335043A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 金苍日 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 输入 输出 读出 放大器 使用 半导体 存储 设备 | ||
1.一种输入/输出I/O线读出放大器，包括：
缓冲器单元，由第一电平电压驱动，以缓冲选通信号；
读出放大器，由第二电平电压驱动，以响应于该缓冲器单元的输出信号 放大I/O线的信号；以及
预充电单元，由该第一电平电压驱动，以响应于该缓冲器单元的输出信 号，对该读出放大器的输出信号进行均衡。
2.如权利要求1所述的I/O线读出放大器，其中，该读出放大器产生 第一放大信号和第二放大信号，并且将该第一放大信号和第二放大信号分别 输出到第一输出线和第二输出线。
3.如权利要求2所述的I/O线读出放大器，其中，该预充电单元均衡 该第一和第二输出线的电压。
4.如权利要求3所述的I/O线读出放大器，其中，该预充电单元包括 均衡器，其连接在该第一和第二输出线之间，以响应于该缓冲器单元的输出 信号将该第一和第二输出线短路。
5.如权利要求4所述的I/O线读出放大器，其中，该均衡器是金属氧 化物半导体MOS晶体管。
6.如权利要求1所述的I/O线读出放大器，其中，该缓冲器单元包括：
逻辑元件，被配置为对被使能以驱动该读出放大器的选通信号和控制信 号执行逻辑操作；以及
第一缓冲器，由该第一电平电压驱动，以缓冲该逻辑元件的输出信号。
7.如权利要求1所述的I/O线读出放大器，其中，该第一电平电压是 提供给单元中心区域的中心电压。
8.如权利要求1所述的I/O线读出放大器，其中，该第二电平电压是 提供给外围区域的外围电压或电源电压。
9.一种输入/输出I/O线读出放大器，包括：
缓冲器单元，由第一电平电压驱动，以缓冲第一选通信号；
第一读出放大器，由该第一电平电压驱动，以响应于该缓冲器单元的输 出信号放大第一I/O线的信号；
预充电单元，由该第一电平电压驱动，以响应于该缓冲器单元的输出信 号，对该第一读出放大器的输出信号进行预充电；以及
第二读出放大器，由第二电平电压驱动，以响应于第二选通信号放大该 第一读出放大器的输出信号，从而产生用于驱动第二I/O线的驱动信号。
10.如权利要求9所述的I/O线读出放大器，其中，该缓冲器单元包括：
逻辑元件，被配置为对被使能以驱动该第一读出放大器的第一选通信号 和控制信号执行逻辑操作；以及
第一缓冲器，由该第一电平电压驱动，以缓冲该逻辑元件的输出信号。
11.如权利要求9所述的I/O线读出放大器，其中，该第一读出放大器 包括差分放大器，其被配置为通过具有低阈值电压的金属氧化物半导体MOS 晶体管来形成电流镜。
12.如权利要求9所述的I/O线读出放大器，其中，该第一电平电压是 提供给单元中心区域的中心电压。
13.如权利要求9所述的I/O线读出放大器，其中，该第二电平电压是 提供给外围区域的外围电压或电源电压。
14.如权利要求9所述的I/O线读出放大器，其中，该第一I/O线是本 地I/O线，该第二I/O线是全局I/O线。
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