[发明专利]一种硅纳米线太阳能电池装置无效
| 申请号： | 200810088803.1 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101257094A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 彭奎庆 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 太阳能电池 装置 | ||
【权利要求书】：
1、硅纳米线阵列太阳能电池装置，它含有Ti/Pd/Ag栅形电极、n型有机物半导体、p型纳米硅线、p型硅基底层、铝金属膜背电极层，其特征在于：所述太阳能转换装置含有依次相叠的下述各层，
(1)Ti/Pd/Ag栅形电极，位于n型有机物半导体之上，其作用是作为正面引出电极；
(2)n型有机物半导体薄膜层(如[6，6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester)位于p型纳米硅线阵列层之上，其作用是与p型纳米硅线形成p-n异质结，产生光生伏特效应；
(3)p型纳米硅线位于P型硅基底层之上，其作用是与n型有机物半导体形成p-n异质结，产生光生伏特效应，同时也作为太阳能电池的减反射层；
(4)P型硅基底层，位于铝金属膜背电极之上，其作用是作为太阳电池的基区；
(5)铝金属膜背电极层，其作用是形成电池背电场；
其主要特征在于n型有机物半导体薄膜层(2)和P型硅基底层(4)之间含有p型纳米硅线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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