[发明专利]氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材及其制造方法无效
申请号: | 200810088879.4 | 申请日: | 2008-04-02 |
公开(公告)号: | CN101333644A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 李伦圭;李真昊 | 申请(专利权)人: | 三星康宁精密琉璃株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐江华;王珍仙 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化锌 非晶质 薄膜 溅射 及其 制造 方法 | ||
1、一种氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材,其特征在于,在氧化锌类非晶质薄膜用的溅射靶材中,所述溅射靶材具有InxGayAl1-yO3(ZnO)T的组成,其中x+y=1、x∶y=1∶0.01~100、T=0.1~5。
2、根据权利要求1所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材,其特征在于,所述溅射靶材具有InxGayAl1-yO3(ZnO)T的组成,其中x+y=1、x∶y=1∶0.01~10、T=0.1~5。
3、根据权利要求1所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材,其特征在于,所述溅射靶材可以进行DC溅射。
4、根据权利要求1所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材,其特征在于,对于所述溅射靶材,电阻率显示20Ω·cm以下的值。
5、根据权利要求1所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材,其特征在于,所述溅射靶材中,In、Ga、Al和Zn的凝聚体为1μm以下。
6、根据权利要求1所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材,其特征在于,对于所述溅射靶材,成膜时的非晶质薄膜的载流子浓度显示1016~1018/cm3的值。
7、根据权利要求1所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材,其特征在于,对于所述溅射靶材,成膜时的非晶质薄膜的电子迁移率显示1~10cm2/V·s的值。
8、一种氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材的制造方法,其特征在于,在氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材的制造方法中,包括下述步骤:
向含有In2O3、Ga2O3、Al2O3、ZnO的原料物质中添加分散剂,进行湿法研磨形成浆料;
向所述浆料中添加粘结剂,进行喷雾干燥形成颗粒粉末;
将所述颗粒粉末挤压成型并烧结,形成具有InxGayAl1-yO3(ZnO)T的组成的溅射靶材,其中x+y=1、x∶y=1∶0.01~100、T=0.1~5。
9、根据权利要求8所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材的制造方法,其特征在于,在所述形成浆料的步骤中,将含有In2O3、Ga2O3、Al2O3、ZnO的原料物质全部混合,使用约0.5wt%的分子量3000的聚丙烯酸铵盐作为分散剂。
10、根据权利要求8所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材的制造方法,其特征在于,在所述形成浆料的步骤中,作为分散剂分别对所述原料物质In2O3使用0.5~1.5wt%的聚丙烯酸铵盐,对Ga2O3使用0.8~2.0wt%的聚丙烯酸铵盐,对Al2O3使用0.5~1.0wt%的聚丙烯酸铵盐,对ZnO使用0.1~0.5wt%的聚丙烯酸铵盐,分散后进行混合。
11、根据权利要求10所述的氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材的制造方法,其特征在于,在所述形成浆料的步骤中,作为分散剂分别对所述原料物质In2O3使用0.8wt%的分子量5000的聚丙烯酸铵盐,对Ga2O3使用1.0wt%的分子量2000的聚丙烯酸铵盐,对Al2O3使用0.8wt%的分子量5000的聚丙烯酸铵盐,对ZnO使用0.3wt%的分子量3000的聚丙烯酸铵盐,分散后进行混合。
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