[发明专利]导电膜及其制造方法、电子装置及其制造方法无效
申请号: | 200810089140.5 | 申请日: | 2008-04-01 |
公开(公告)号: | CN101552052A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 梶浦尚志;榎修;李勇明;张婧;高濂;孙静;刘阳桥;王家平 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/16;H01B1/24;C08L81/00;C08K3/04;C08J5/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种导电膜制造方法,其特征在于,
在将全氟磺酸类聚合物作为分散剂溶解于溶剂中的溶液 中分散碳纳米管,并使用分散有所述碳纳米管的所述溶液,通 过过滤法来制造由所述碳纳米管形成的导电膜,并且所述溶剂 包括水和乙醇。
2.根据权利要求1所述的导电膜制造方法,其特征在于,
在过滤分散有所述碳纳米管的所述溶液后的所述碳纳米 管间残留有所述全氟磺酸类聚合物。
3.根据权利要求2所述的导电膜制造方法,其特征在于,
通过使用过滤膜,并对分散有所述碳纳米管的所述溶液 进行真空过滤,从而在所述过滤膜上形成由所述碳纳米管形成 的、在所述碳纳米管间残留有所述全氟磺酸类聚合物的膜。
4.根据权利要求3所述的导电膜制造方法,其特征在于,
将由所述碳纳米管形成的、在所述碳纳米管间残留有所 述全氟磺酸类聚合物的膜及所述过滤膜移到基板上,然后去除 所述过滤膜。
5.根据权利要求4所述的导电膜制造方法,其特征在于,
在去除所述过滤膜后,通过干燥由所述碳纳米管形成的、 在所述碳纳米管间残留有所述全氟磺酸类聚合物的膜来制造 所述导电膜。
6.根据权利要求5所述的导电膜制造方法,其特征在于,
通过在空气中对由所述碳纳米管形成的、在所述碳纳米 管间残留有所述全氟磺酸类聚合物的膜进行退火处理来进行 干燥。
7.根据权利要求5所述的导电膜制造方法,其特征在于,
在空气中在300℃下,对由所述碳纳米管形成的、在所述 碳纳米管间残留有所述全氟磺酸类聚合物的膜进行退火处理 来进行干燥。
8.根据权利要求1所述的导电膜制造方法,其特征在于,
所述碳纳米管是单壁碳纳米管或多壁碳纳米管。
9.根据权利要求1所述的导电膜制造方法,其特征在于,
所述导电膜为透明导电膜。
10.根据权利要求1所述的导电膜制造方法,其特征在于,
通过对所获得的所述导电膜进行热压,从而降低碳纳米 管间的接触电阻,以提高导电性。
11.一种具有由碳纳米管形成的导电膜的电子装置的制造方法,其 特征在于,
在将全氟磺酸类聚合物作为分散剂溶解于溶剂中的溶液 中分散碳纳米管,并使用分散有所述碳纳米管的所述溶液,通 过过滤法来形成所述导电膜,并且所述溶剂包括水和乙醇。
12.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
在过滤分散有所述碳纳米管的所述溶液后的所述碳纳米 管间残留有所述全氟磺酸类聚合物。
13.一种由碳纳米管形成的导电膜,其特征在于,
所述导电膜是由权利要求1~10中任一项所述的导电膜制 造方法制成的。
14.一种具有由碳纳米管形成的导电膜的电子装置,其特征在于,
所述导电膜是由权利要求1~10中任一项所述的导电膜制 造方法制成的。
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