[发明专利]验证非挥发存储器电路功能的方法

权利要求书

1、一种验证非挥发存储器电路的方法，其步骤包括：

1)从非挥发存储器的存储单元的存储特性出发，获得该存储器存储单元的I-V特性；

2)基于上述存储器的存储单元的I-V特性，设计出与该存储器的存储单元相同电学特性的成熟工艺可制造的替代单元电路；

3)根据上述非挥发存储器的读写工作模式，设计出相应的成熟工艺可制造的外围电路；

4)用成熟工艺将上述已设计的替代单元电路嵌入到所设计的外围电路中，对非挥发存储器电路功能进行验证。

2、如权利要求1所述的验证非挥发存储器电路功能的方法，其特征在于：所述非挥发存储器为铁电存储器、相变存储器或阻变存储器。

3、如权利要求1所述的验证非挥发存储器电路功能的方法，其特征在于：所述替代单元电路的结构包括施密特触发器，压控电压源和工作MOS管，工作MOS管的栅电压连接到施密特触发器，在施密特触发器的输出端产生二态回滞电压，施密特触发器的输出端连接压控电压源的控制端。

4、如权利要求1或3所述的验证非挥发存储器电路功能的方法，其特征在于：所述外围电路包括信号产生电路，读写控制电路，译码器和输出电路，

信号产生电路，用于输出嵌入到外围电路中的替代单元的端口电压；

译码器，用于生产地址信号，译码器与读写控制电路连接；

读写控制电路，用于控制外围电路内部信号的传输；

上述嵌入到外围电路中的替代单元的逻辑1或逻辑0的信号通过灵敏放大电路，连接到输出电路。