[发明专利]一种非晶碳涂层及其制备方法和用途有效
申请号: | 200810089433.3 | 申请日: | 2008-03-31 |
公开(公告)号: | CN101444985A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 张伟;柳清亮;汪勇;张纾;徐滨士 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军装甲兵工程学院 |
主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;B32B9/00;C23C14/35;C23C14/02;C23C30/00 |
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地址: | 100072北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶碳 涂层 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种非晶碳涂层,其设在零件的基体表面上,其特征是:该非晶碳涂层由打底层、中间过渡层和顶层三层构成;所述打底层为Ti、Cr金属层,中间过渡层为Ti、Cr和非晶碳的混合层,顶层为掺杂有少量Ti、Cr的非晶碳涂层;其中,过渡层中的Cr元素的含量从底层到表层方向呈逐渐递减的趋势,C元素呈逐渐增加的趋势,而Ti元素的含量基本保持稳定;
在基体与非晶碳涂层之间有一层Ti和Cr作为金属的所述打底层,其中Ti和Cr的原子百分含量分别为5~10%和40~60%,其他为基体,且底层金属与基体元素相互扩散,形成良好的结合层;所述底层与顶层之间是Ti、Cr和C的混合中间过渡层,中间过渡层包括C、Cr、Ti元素,其中金属Cr元素的含量从40~60%逐渐递减至20~30%,C元素的含量从30~40%逐渐增加至60~70%,Ti元素的含量基本稳定在5~10%;所述顶层是掺杂少量Ti、Cr元素的非晶碳涂层,掺杂的Ti原子百分含量均分别为5~10%,Cr的原子百分含量为5~20%,C元素含量为70~90%;
所述涂层的总厚度在2.1~3.0μm的范围。
2.根据权利要求1所述的非晶碳涂层,其特征是:所述打底层的厚度为300~500nm,所述过渡层厚度为1500~2000nm,所述顶层的厚度为300~500nm。
3.一种如权项1所述的非晶碳涂层的制备方法,其特征在于:采用多源磁控溅射法,所用溅射靶材料是工业纯铬Cr靶、钛Ti靶和石墨C靶,在靶源位置分别放置纯铬Cr靶、钛Ti靶和碳C靶共6对,12只溅射靶,通过6个开关来控制各对靶功率和电流的大小;系统的本底真空为:1.0×10-2~2.0×10-2Pa,工作气压为:2×10-1~4×10-1Pa,通过通入工作气体为高纯Ar气维持该工作压力,制备工序包括:
制备金属打底层:开启铬Cr靶、钛Ti靶,在基材表面沉积金属底层;
制备溅射涂层:其后,开启铬Cr靶、钛Ti靶和石墨C靶,进行涂层溅射,在溅射涂层制备过程中,通入辅助反应气体为乙炔C2H2;
溅射涂层制备过程中,所述Cr靶的电流由25.0~28.0A依次递减至0.2~1.0A,功率由15.0~16.0KW依次递减至1.0~1.5KW;所述Ti靶的电流由30.0~35.0依次递减至5.0~7.0A,功率由17.0~17.5KW依次递减至5.0~6.0KW;所述石墨C靶电流由0.5~2.0A依次递增至21.0~25.5A,功率由1.0~1.5KW依次递增至15.0~16.0KW;在制备所述溅射涂层中包括制备中间过渡层和顶层过程,设置脉冲偏压,从-600~-400V起始,逐渐递减,终了偏压不低于-50V,占空比由60%递增到80%。
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