[发明专利]半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种贴合晶片的制造方法，该方法包括：

在基板电阻为1～100mΩcm的活性层用晶片中注入氧离子，在前述活性层用晶片中形成氧离子注入层的工序；

将前述活性层用晶片和支撑用晶片，通过或者不通过绝缘层贴合，形成贴合晶片的工序；

将前述贴合晶片热处理，强化贴合，而且使前述氧离子注入层作为含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层的工序；

将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面一侧研削、研磨和/或蚀刻，使前述含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层露出表面的工序；

除去前述含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层的工序；和

将除去含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层的贴合晶片在还原气氛下热处理，使活性层用晶片中含有的导电性成分扩散的工序。

2.根据权利要求1所记载的制造方法，其中前述活性层用晶片是P型晶片。

3.根据权利要求2所记载的制造方法，其中前述p型晶片含有硼作为导电性成分。

4.根据权利要求1或2或3所记载的制造方法，其中氧离子注入层是从前述活性层用晶片的贴合用表面起形成200～1000nm的深度。

5.根据权利要求1或2或3所记载的制造方法，其中前述支撑用晶片具有绝缘层，通过该绝缘层使前述活性层用晶片和支撑用晶片贴合。

6.根据权利要求4所记载的制造方法，其中前述支撑用晶片具有绝缘层，通过该绝缘层使前述活性层用晶片和支撑用晶片贴合。

7.根据权利要求1或2或3所记载的制造方法，其中前述支撑用晶片没有绝缘层，而使前述活性层用晶片和支撑用晶片直接贴合。

8.根据权利要求4所记载的制造方法，其中前述支撑用晶片没有绝缘层，而使前述活性层用晶片和支撑用晶片直接贴合。

9.根据权利要求1或2或3或6或8所记载的制造方法，其中将前述强化贴合，且使氧离子注入层作为含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层的工序中的热处理，在1000～1300℃的范围内的温度下进行。

10.根据权利要求4所记载的制造方法，其中将前述强化贴合，且使氧离子注入层作为含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层的工序中的热处理，在1000～1300℃的范围内的温度下进行。

11.根据权利要求5所记载的制造方法，其中将前述强化贴合，且使氧离子注入层作为含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层的工序中的热处理，在1000～1300℃的范围内的温度下进行。

12.根据权利要求7所记载的制造方法，其中将前述强化贴合，且使氧离子注入层作为含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层的工序中的热处理，在1000～1300℃的范围内的温度下进行。

13.根据权利要求1或2或3或6或8或10或11或12所记载的制造方法，其中使前述含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层露出表面的工序包括将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面一侧研削，然后，再将研削面研磨和/或蚀刻。

14.根据权利要求4所记载的制造方法，其中使前述含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层露出表面的工序包括将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面一侧研削，然后，再将研削面研磨和/或蚀刻。

15.根据权利要求5所记载的制造方法，其中使前述含有SiO₂相粒子层或连续的SiO₂层露出表面的工序包括将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面一侧研削，然后，再将研削面研磨和/或蚀刻。