[发明专利]一种形成半导体器件微图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件微图案的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一蚀刻掩模图案，在所述半导体衬底中在漏极选择线之间交替形成结区和隔离层；

在所述第一蚀刻掩模图案上形成辅助膜，其中所述辅助膜形成在所述第一蚀刻掩模图案的侧壁上，使得在相邻第一蚀刻掩模图案之间限定间隔；

在包括所述辅助膜的整个结构上形成第二蚀刻掩模膜，其中所述第一蚀刻掩模图案和所述第二蚀刻掩模膜包含基本相同的材料；

形成包括开口的第二光刻胶图案，其中所述开口平行于所述漏极选择线并暴露出位于所述漏极选择线之间的所述第二蚀刻掩模膜的部分；

利用所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第二蚀刻掩模膜，其中在所述相邻第一蚀刻掩模图案之间限定的所述间隔中形成第二蚀刻掩模图案；和

除去在所述第一蚀刻掩模图案和所述第二蚀刻掩模图案之间形成的所述辅助膜，其中目标图案对应于所述半导体衬底上除去所述辅助膜的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一蚀刻掩模图案形成之前，在所述半导体衬底上形成硬掩模膜；和

在所述硬掩模膜上形成蚀刻停止膜。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

除去所述辅助膜之后，使用采用所述第一蚀刻掩模图案和所述第二蚀刻掩模图案的蚀刻工艺，来蚀刻所述蚀刻停止膜和所述硬掩模膜以形成硬掩模图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻掩模图案的间距是目标图案的间距的两倍。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述目标图案之间的每一个所述第一蚀刻掩模图案的长度与每一个所述目标图案的长度相同或更长。 

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一蚀刻掩模图案包括：

在所述半导体衬底上形成第一蚀刻掩模膜和抗反射涂层；

在所述抗反射涂层上形成第一光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案形成为具有所述目标图案的间距的两倍的间距；

通过使用采用所述第一光刻胶图案的蚀刻工艺，图案化所述抗反射涂层和所述第一蚀刻掩模膜来形成所述第一蚀刻掩模图案；和

除去所述第一光刻胶图案和所述抗反射涂层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻掩模图案和所述第二蚀刻掩模图案之间的距离对应于在所述第一蚀刻掩模图案侧壁上形成的所述辅助膜的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中每一个目标图案的宽度对应于在所述第一蚀刻掩模图案侧壁上形成的所述辅助膜的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成多个第二蚀刻掩模图案并且所述第二蚀刻掩模图案的间距是目标图案的间距的两倍。

10.根据权利要求1所述的方法，其中除去所述辅助膜后，除去所述第二光刻胶图案。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻掩模图案和所述第二蚀刻掩模图案包含含Si的底部抗反射涂层膜。

12.根据权利要求11所述的方法，其中使用旋涂法形成所述含Si的底部抗反射涂层膜。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述辅助膜包括碳聚合物膜。

14.根据权利要求1所述的方法，其中除去所述辅助膜包括用O₂等离子体蚀刻所述辅助膜。