[发明专利]氮化物半导体发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述氮化物半导体发光器件至少具有在基底上生长的n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层，所述方法包括下述步骤：

在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。

2.权利要求1的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中所述活性层是通过交替层叠带隙彼此不同的井层和阻挡层而形成的，其包括下述步骤：

在生长至少一层井层之后，使所述表面活性剂材料与所述井层的表面接触。

3.权利要求1的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中所述表面活性剂材料包括In、Al、Ga、Mg、Zn、Si或Ge。

4.权利要求2的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中所述表面活性剂材料包括In、Al、Ga、Mg、Zn、Si或Ge。

5.权利要求2的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中所述井层由In_xGa_1-xN(0＜x≤1)形成。

6.权利要求1的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中所述n型氮化物半导体层、所述活性层和所述p型氮化物半导体层是采用金属有机化学气相沉积法生长的。