[发明专利]晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备

权利要求书

1.一种晶片的单片式蚀刻方法，所述方法根据晶片的表面形状控制蚀刻剂对晶片的应用以使晶片的上表面平滑，

其特征在于，在晶片和下表面吹气机构之间的间隙被调整成落入到0.1至1mm的范围之内的状态下，将晶片的上表面平滑化，所述下表面吹气机构通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉。

2.根据权利要求1所述的晶片的单片式蚀刻方法，其特征在于，G/B为50至1000，其中G公升/分钟是来自下表面吹气机构的喷射端口的气体的流量，Bmm是喷射端口的宽度。

3.一种晶片的单片式蚀刻设备，所述设备在旋转晶片的同时向晶片的上表面供给蚀刻剂以蚀刻晶片的上表面，所述设备包括：

晶片升降装置，用于上下移动晶片；

下表面吹气机构，以不与晶片一起旋转的方式固定和设置，并通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉；

间隙检测装置，用于检测晶片和下表面吹气机构之间的间隙；和

间隙调整装置，用于根据间隙检测装置检测到的检测输出来控制晶片升降装置以调整间隙。

4.一种晶片的单片式蚀刻设备，所述设备在旋转晶片的同时向晶片的上表面供给蚀刻剂以蚀刻晶片的上表面，所述设备包括：

晶片升降装置，用于上下移动晶片；

下表面吹气机构，被设置成相对于晶片相对地旋转，并通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉；

间隙检测装置，用于检测晶片和下表面吹气机构之间的间隙；和

间隙调整装置，用于根据间隙检测装置检测到的检测输出来控制晶片升降装置以调整间隙。

5.根据权利要求3或4所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，多个间隙检测装置沿晶片的圆周方向设置。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，间隙调整装置除控制除晶片升降装置外，还控制用于上下移动下表面吹气机构的下表面吹气机构升降装置，以调整晶片和下表面吹气机构之间的间隙。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，进一步包括：第一喷嘴，将蚀刻剂供给到晶片的上表面；和第二喷嘴，被设置成面向晶片的边缘表面以将蚀刻剂供给到晶片的边缘表面。

8.根据权利要求7所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，第二喷嘴被固定并设置在预定位置上，所述预定位置朝晶片的径向内侧从晶片的外缘离开-10至20mm。