[发明专利]薄膜器件及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜器件，其包括薄膜元件、引线导体膜、绝缘膜和凸块，

其中，所述薄膜元件包括电磁转换元件、无源元件和有源元件中的至少一种，

所述引线导体膜设在所述绝缘膜的内部，包含Cu作为主要成分并且连接到所述薄膜元件，

所述凸块设为露出在所述绝缘膜的外部，至少包括第一导体膜和第二导体膜，

所述第一导体膜附着到所述引线导体膜上，并且所述第一导体膜为Ta膜或者由具有与Ta膜相同程度的精细晶体结构的材料制成，并且

所述第二导体膜是直接或间接形成在所述第一导体膜上的镀膜，并且所述第二导体膜包含Au作为主要成分。

2.如权利要求1所述的薄膜器件，其中，所述引线导体膜具有平面部分和突出部分，

所述突出部分是从所述平面部分突出出来的镀膜，并且一个端面基本上与所述绝缘膜的表面齐平，并且

所述凸块附着到所述突出部分的所述一个端面上。

3.如权利要求2所述的薄膜器件，其中，所述绝缘膜是陶瓷膜，并且

所述突出部分的所述一个端面和所述绝缘膜的所述表面构成抛光表面。

4.如权利要求3所述的薄膜器件，其中，所述第一导体膜具有在5-15nm范围内的膜厚。

5.如权利要求4所述的薄膜器件，其中，在所述第一导体膜和所述第二导体膜之间，所述凸块具有包含Au作为主要成分的第三导体膜。

6.一种薄膜磁头，包括滑动器、至少一个电磁转换元件、引线导体膜、绝缘膜和凸块，

其中所述电磁转换元件由所述滑动器支撑，

所述引线导体膜设在所述绝缘膜的内部，包含Cu作为主要成分并且连接到所述电磁转换元件，

所述凸块设为露出在所述绝缘膜的外部，至少包括第一导体膜和第二导体膜，

所述第一导体膜附着到所述引线导体膜上，并且所述第一导体膜为Ta膜或者由具有与Ta膜相同程度的精细晶体结构的材料制成，并且

所述第二导体膜是直接或间接形成在所述第一导体膜上的镀膜，并且所述第二导体膜包含Au作为主要成分。

7.如权利要求6所述的薄膜磁头，其中，所述引线导体膜具有平面部分和突出部分，

所述突出部分是从所述平面部分突出出来的镀膜，并且一个端面基本上与所述绝缘膜的表面齐平，并且

所述凸块附着到所述突出部分的所述一个端面上。

8.如权利要求7所述的薄膜磁头，其中，所述绝缘膜是陶瓷膜，并且

所述突出部分的所述一个端面和所述绝缘膜的所述表面构成抛光表面。

9.如权利要求8所述的薄膜磁头，其中，所述第一导体膜具有在5-15nm范围内的膜厚。

10.如权利要求9所述的薄膜磁头，其中，在所述第一导体膜和所述第二导体膜之间，所述凸块具有包含Au作为主要成分的第三导体膜。

11.如权利要求6所述的薄膜磁头，其中，所述电磁转换元件包括垂直记录元件和再生元件。

12.一种头组件，包括薄膜磁头和头支撑器件，

其中所述薄膜磁头为权利要求6～11中某一项所述的薄膜磁头；

所述头支撑器件以允许所述薄膜磁头的转动和倾斜的方式支撑所述薄膜磁头。

13.一种磁记录/再生设备，包括头组件和磁记录介质，

其中所述头组件为权利要求12所述的头组件；

所述头组件与所述磁记录介质配合，以便在所述磁记录介质上记录磁数据或从所述磁记录介质再生磁数据。

14.一种权利要求1～5中某一项所述的薄膜器件的制造方法，其中，包括以下工序：

在所述引线导体膜上形成第一导体膜，该第一导体膜为Ta膜或者由具有与Ta膜相同程度的精细晶体结构的材料制成；

然后，在所述第一导体膜上直接或间接地形成第二导体膜，该第二导体膜是包含Au作为主要成分的镀膜。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中，所述引线导体膜具有平面部分和突出部分并且嵌在绝缘膜中，并且所述突出部分是从所述平面部分突出出来的镀膜，其中，该制造方法包括以下工序：

进行抛光，使得所述突出部分的一个端面呈现为基本上与所述绝缘膜的表面齐平，

然后，在所述突出部分的所述一个端面上形成所述凸块。