[发明专利]成像设备和处理盒有效
申请号: | 200810090219.X | 申请日: | 2008-04-01 |
公开(公告)号: | CN101377648A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 柴田顺一;西村亮;铃木贵弘 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | G03G21/08 | 分类号: | G03G21/08;G03G21/18;G03G15/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰;谢栒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 设备 处理 | ||
1.一种成像设备,所述成像设备包含:
被旋转驱动的图像承载体,所述图像承载体包含基体上的底涂层和感光层;
充电单元,所述充电单元向所述图像承载体的表面充电;
潜像形成单元,所述潜像形成单元通过对已由所述充电单元充电的图像承载体的表面进行曝光从而在所述图像承载体上形成静电潜像;
显影单元,所述显影单元通过以调色剂使所述静电潜像显影而在所述图像承载体上形成与所述静电潜像对应的调色剂图像;
转印单元,所述转印单元将所述调色剂图像转印到图像接受体上;以及
除电单元,所述除电单元包含光源,在所述调色剂图像转印后,所述光源在所述图像承载体的旋转轴方向上从该图像承载体的一侧以除电用光照射该图像承载体的表面,从而去除所述图像承载体表面的电荷,
其中,所述底涂层的体积电阻值在所述图像承载体的旋转轴方向上从该图像承载体的所述光源侧的一个端部向该图像承载体的另一个端部逐渐降低。
2.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底涂层的厚度在所述图像承载体的旋转轴方向上从该图像承载体的所述光源侧的一个端部向该图像承载体的另一个端部逐渐降低。
3.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底涂层在所述图像承载体的旋转轴方向上的两个端部的厚度与所述底涂层在所述图像承载体的旋转轴方向上的平均厚度之差均为所述底涂层的平均厚度的10%~50%。
4.如权利要求1所述的成像设备,其中,所述底涂层的体积电阻率为1.0×108Ω·cm~1.0×1015Ω·cm。
5.如权利要求1所述的成像设备,其中:
所述底涂层包含第一底涂层和第二底涂层,所述第一底涂层的厚度在所述图像承载体的旋转轴方向上从该图像承载体的所述光源侧的一个端部向该图像承载体的另一个端部逐渐降低;所述第二底涂层形成于所述第一底涂层之上,所述第二底涂层的厚度在所述图像承载体的旋转轴方向上从该图像承载体的所述光源侧的一个端部向该图像承载体的另一个端部逐渐升高,以及
所述第一底涂层在所述光源侧的端部的厚度大于所述第二底涂层在所述光源侧的端部的厚度,而且所述第一底涂层在所述另一个端部的厚度小于所述第二底涂层在所述另一个端部的厚度。
6.如权利要求5所述的成像设备,其中,所述第一底涂层的体积电阻率为1.0×108.2Ω·cm~1.0×1014.8Ω·cm,所述第二底涂层的体积电阻率为1.0×1014.8Ω·cm~1.0×108.2Ω·cm。
7.如权利要求5所述的成像设备,其中,所述第一底涂层和所述第二底涂层包含相同金属元素的金属氧化物颗粒。
8.如权利要求7所述的成像设备,其中,所述第一底涂层和所述第二底涂层在其中的材料和其混合比方面具有相同的组成,但所述金属氧化物颗粒的分散状态不同。
9.如权利要求1所述的成像设备,其中,以来自所述光源的除电用光直接照射所述图像承载体。
10.一种处理盒,所述处理盒包含:
被旋转驱动的图像承载体,所述图像承载体包含基体上的底涂层和感光层;
选自由下述单元组成的组中的至少一个单元:充电单元,所述充电单元向所述图像承载体的表面充电;潜像形成单元,所述潜像形成单元通过对已由所述充电单元充电的图像承载体的表面进行曝光从而在所述图像承载体上形成静电潜像;显影单元,所述显影单元通过以调色剂使所述静电潜像显影而在所述图像承载体上形成与所述静电潜像对应的调色剂图像;以及调色剂去除单元,所述调色剂去除单元将残留在所述图像承载体的表面上的调色剂去除;和
除电单元,所述除电单元包含光源,在所述调色剂图像转印后,所述光源在所述图像承载体的旋转轴方向上从该图像承载体的一侧以除电用光照射该图像承载体的表面,从而去除所述图像承载体的表面的电荷,
其中,所述底涂层的体积电阻值在所述图像承载体的旋转轴方向上从该图像承载体的所述光源侧的一个端部向该图像承载体的另一个端部逐渐降低。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士施乐株式会社,未经富士施乐株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810090219.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。