[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及即使形成得薄处理也变容易的晶片的加工方法。

背景技术

将在表面侧形成有多个IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(largescale integration：大规模集成电路)等器件的晶片使用切割装置等分割为一个个器件，并组装到各种电子设备中广泛使用。而且，为实现电子设备的小型化、轻量化等，对分割成一个个器件前的晶片磨削背面，使其厚度形成为例如20μm～100μm。

但是，由于通过磨削而形成得薄的晶片刚性消失，所以存在在后续的工序中的处理和搬运变得困难这样的问题。例如，难以在通过背面磨削而变薄的晶片的背面覆盖大约几十nm的厚度的由金、银、钛等构成的金属膜。

因此，本申请人提出了以下这样晶片的加工方法并申请了专利：对晶片背面中的、作为形成有器件的部分的器件区域的背面进行磨削以形成期望的厚度，通过使其外周侧不磨削而残留来形成环状增强部，从而在提高了晶片的刚性、处理和搬运变得容易的状态下在背面覆盖金属膜，然后除去环状增强部，并通过切割而分割成一个个器件(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2007-19379号公报

但是，在专利文献1所记载的晶片的加工方法中，在磨削环状增强部的背面来除去环状增强部时，为了不磨削在器件区域的背面覆盖的金属膜，必须将磨削磨石准确地对位在环状增强部上，所以存在用于此处的控制烦杂的问题。

发明内容

因此，本发明要解决的问题是：在磨削晶片的器件区域的背面以在其周围形成环状增强部后，在晶片的背面覆盖金属膜，并能够在不损伤该金属膜的情况下容易地除去环状增强部。

本发明涉及一种晶片的加工方法，其至少由以下工序构成：环状增强部形成工序，在晶片的表面上形成有将多个器件通过间隔道划分开而形成的器件区域、和围绕器件区域的外周剩余区域，将该晶片的表面侧保持在磨削装置的卡盘工作台上，磨削器件区域的背面以形成凹部，并且在凹部的外周侧形成环状增强部；金属膜覆盖工序，在环状增强部形成工序后，在晶片的背面覆盖金属膜；和环状增强部除去工序，在金属膜覆盖工序后，除去环状增强部，其特征在于，

在环状增强部除去工序中，使用了磨削装置，该磨削装置至少具有：卡盘工作台，其可旋转，并且具有保持晶片的保持面；磨削构件，其磨削轮构成为可旋转，在该磨削轮上呈环状地配置有对保持在上述卡盘工作台上的晶片进行磨削的磨削磨石；以及磨削进给构件，其相对于保持面在垂直方向上对磨削构件进行磨削进给，将晶片的表面侧保持在卡盘工作台上并使其旋转，并且在使磨削轮旋转的同时，通过利用磨削进给构件进行磨削进给，来以磨削磨石的轨迹与环状增强部相交的方式使磨削磨石作用在晶片的背面上，以磨削环状增强部，在环状增强部的磨削面到达在器件区域背面的覆盖金属膜的上表面上方的20μm～1μm的位置时，结束磨削。

在环状增强部除去工序后，在将切割带粘贴到晶片的背面、并且晶片通过切割带支撑于切割框架上的状态下，实施沿着间隔道将晶片分割为一个个器件的分割工序。切割带的厚度优选为80μm～100μm。

在本发明中，在环状增强部除去工序中，以磨削磨石的旋转轨道与环状增强部相交的方式进行磨削，所以不需要将磨削磨石准确地对位在环状增强部的上方，控制变得容易。此外，由于在环状增强部的磨削面到达在器件区域的背面上覆盖的金属膜的上表面上方的20μm～1μm的位置时结束磨削，所以磨削磨石不会接触器件区域的背面的金属膜。因此，不会损伤器件区域背面的金属膜。

再有，在环状增强部除去工序之后的分割工序中，环状增强部的背面以比器件区域的金属膜凸出20μm～1μm的状态粘贴在切割带上，但如果是该程度的高度差，则比切割带的厚度还小，由于切割带柔软，所以该高度差通过切割带被吸收，从而不会妨碍切削。

附图说明

图1是表示晶片及保护部件的立体图。

图2是表示在表面粘贴有保护部件的晶片的立体图。

图3是表示环状增强部形成工序的立体图。

图4是表示环状增强部形成工序结束后的晶片的立体图。

图5是表示环状增强部形成工序结束后的晶片的剖面图。

图6是概要表示减压成膜装置的一个示例的剖面图。

图7是表示金属膜覆盖工序结束后的晶片的剖面图。

图8是表示磨削装置的一个示例的立体图。

图9是表示环状增强部除去工序的立体图。

图10是表示环状增强部形成工序结束后的晶片的剖面图。