[发明专利]光电元件及其制造方法

权利要求书

1、一种制造光电元件的方法，该方法包含下列步骤：

制备衬底；

于该衬底上形成多层结构；以及

通过原子层沉积工艺及/或等离子体增强原子层沉积工艺，形成钝化层，该钝化层覆盖该多层结构。

2、如权利要求1所述的方法，其中该钝化层于范围从室温至600℃中的工艺温度下形成。

3、如权利要求1所述的方法，其中该钝化层于完成沉积后进一步于范围从100℃至1200℃中的温度下进行退火处理。

4、如权利要求1所述的方法，其中该光电元件选自由有机发光二极管、有机太阳能电池、无机发光二极管、无机太阳能电池、光检测器以及激光二极管所组成的群组中的其中一个。

5、如权利要求1所述的方法，其中该多层结构包含选自由金属绝缘层半导体结构、PN结、异质结、量子阱、量子线、量子点、超晶格、纳米柱、纳米管、纳米线以及纳米颗粒所组成的群组中的其中一个。

6、如权利要求1所述的方法，其中该衬底选自由蓝宝石衬底、硅衬底、SiC衬底、GaN衬底、ZnO衬底、ScAlMgO₄衬底、YSZ衬底、SrCu₂O₂衬底、LiGaO₂衬底、LiAlO₂衬底、GaAs衬底以及玻璃衬底所组成的群组中的其中一个。

7、如权利要求1所述的方法，其中该衬底为图案化衬底。

8、如权利要求1所述的方法，其中该钝化层的组成包含选自由Al₂O₃、AlN、AlP、AlAs、Al_XTi_YO_Z、Al_XCr_YO_Z、Al_XZr_YO_Z、Al_XHf_YO_Z、Bi_XTi_YO_Z、BaS、BaTiO₃、CdS、CdSe、CdTe、CaS、CaF₂、CuGaS₂、CoO、Co₃O₄、CeO₂、Cu₂O、CuO、FeO、GaN、GaAs、GaP、Ga₂O₃、GeO₂、HfO₂、Hf₃N₄、HgTe、InP、InAs、In₂O₃、In₂S₃、InN、LaAlO₃、La₂S₃、La₂O₂S、La₂O₃、La₂CoO₃、La₂NiO₃、La₂MnO₃、MoN、Mo₂N、MoO₂、MgO、MnO_x、NiO、NbN、Nb₂O₅、PbS、PtO₂、Si₃N₄、SiO₂、SiC、SnO₂、Sb₂O₅、SrO、SrCO₃、SrTiO₃、SrS、SrS_1-XSe_X、SrF₂、Ta₂O₅、TaO_XN_Y、Ta₃N₅、TaN、Ti_XZr_YO_Z、TiO₂、TiN、Ti_XSi_YN_Z、TiHf_YO_Z、WO₃、W₂N、Y₂O₃、Y₂O₂S、ZnS_1-XSe_X、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnS_1-XSe_X、ZnF₂、ZrO₂、Zr₃N₄以及Zr_XSi_YO_Z所组成的群组中的至少其中一个。