[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810091202.6 | 申请日： | 2004-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101266935A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 松木浩久;生云雅光 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/498;H01L23/58 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：
在半导体衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；
用包含填料的绝缘树脂层覆盖该半导体衬底，但不覆盖所述天线焊盘；
在所述天线焊盘和所述包含填料的绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层；
在所述用于电镀的籽晶层上形成预定图案的光刻胶，该光刻胶在所述天线焊盘上方具有露出所述用于电镀的籽晶层的一部分的开口；以及
电镀所述用于电镀的籽晶层，以便在所述天线焊盘上形成导电凸起。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，进一步包括：在用所述包含填料的绝缘树脂层覆盖该半导体衬底的步骤之前，使该测试焊盘的表面平滑的步骤。
3.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：
在半导体衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；
用包含填料的绝缘树脂层覆盖该半导体衬底，但不覆盖所述天线焊盘和该测试焊盘；
在所述天线焊盘、该测试焊盘和所述包含填料的绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层；
在所述用于电镀的籽晶层上形成预定图案的光刻胶，该光刻胶在所述天线焊盘上方具有露出所述用于电镀的籽晶层的一部分的开口；
电镀所述用于电镀的籽晶层以便在所述天线焊盘上形成导电凸起；
除去所述用于电镀的籽晶层，但不除去所述天线焊盘上方的所述用于电镀的籽晶层；以及
去除该测试焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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