[发明专利]半导体装置的制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，用于进行采用多个照射光学系统用能 量束照射半导体膜的退火工艺，在所述半导体膜上包括薄膜晶体管形成区域 的元件形成区域排列成二维图案，

其中在所述退火工艺中，

用所述能量束照射的区域分成单束照射区域和边界区域，所述单束照射 区域由所述多个照射光学系统中的每一个用能量束单独照射，而所述边界区 域位于彼此相邻的单束照射区域之间，并且由进行所述单束照射区域的束照 射的两个照射光学系统用能量束照射，

所述边界区域分成第一照射部分和第二照射部分，所述第一照射部分作 为被所述两个照射光学系统之一束照射的部分，和所述第二照射部分作为被 所述两个照射光学系统中另一个束照射的部分，以及

所述第一照射部分和所述第二照射部分在所述边界区域于二维方向的 每个方向上彼此混合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分的分布密度在所述二维方 向中垂直于所述单束照射区域和所述边界区域之间的边界线的方向上变化。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分通过所述第一照射部分和 所述第二照射部分各自的束照射的导通/截止切换而彼此混合。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分通过用于照射所述第一照 射部分和所述第二照射部分的能量束的屏蔽/非屏蔽切换而彼此混合。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分通过改变所述薄膜晶体管 形成区域在所述元件形成区域中的排列而彼此混合。

6.一种显示装置，包括：

驱动基板，通过在基板上形成半导体膜并且在所述半导体膜上形成薄膜 晶体管制造；和

显示元件，形成在所述驱动基板上；

用于形成所述显示元件的区域，包括用于形成在所述驱动基板中的所述 半导体膜上排列成二维图案的所述薄膜晶体管的区域；

其中所述半导体膜通过采用多个照射光学系统用能量束照射所述半导 体膜的退火工艺形成，

在所述退火工艺中，

用所述能量束照射的区域分成单束照射区域和边界区域，所述单束照射 区域由所述多个照射光学系统中的每一个用能量束单独照射，而所述边界区 域位于彼此相邻的单束照射区域之间，并且由进行所述单束照射区域的束照 射的两个照射光学系统用能量束照射，

所述边界区域分成第一照射部分和第二照射部分，所述第一照射部分作 为被所述两个照射光学系统之一束照射的部分，和所述第二照射部分作为被 所述两个照射光学系统中另一个束照射的部分，以及

所述第一照射部分和所述第二照射部分在所述边界区域于二维方向的 每个方向上彼此混合，以及

所述半导体膜通过采用所述多个照射光学系统进行束照射形成。