[发明专利]碳化硅

权利要求书

1、一种碳化硅，其特征是，该碳化硅含第五号元素杂质在0.005～10ppm，并且呈现为 微小单晶和多晶的无规聚合体结构。

2、根据权利要求1的碳化硅，其特征是，所述的碳化硅含第十五号元素杂质在 0.001～10ppm。

3、根据权利要求2的碳化硅，其特征是，所述的碳化硅中至少一种单一金属杂质元素在 100ppm以内。

4、根据权利要求3的碳化硅，其特征是，所述的碳化硅含杂质铝元素在30ppm以内。

5、生产如权利要求1～4的碳化硅的方法，其特征是，该碳化硅由含第五号元素含量在 0.002～10ppm的碳在高温下还原含第五号元素在0.002～10ppm的硅石获得。

6、根据权利要求5所述的碳化硅的生产方法，其特征是，原料中加入卤化物以进一步 除去包括第五号元素在内的杂质。

7、生产如权利要求1～4所述的碳化硅的方法，其特征是，将碳化硅细颗粒经由热的碱 溶液或碱性溶液浸提，以除去多余的第五号元素杂质。

8、生产如权利要求1～4所述的碳化硅的方法，其特征是，将碳化硅分散于熔融的盐中， 使其含有的多余的第五号元素迁移到熔盐中。

9、权利要求1～4所述的碳化硅的用途，其特征是，将该碳化硅作还原剂，在高温下还 原高纯硅石，以获得第五号元素含量在0.005～10ppm的硅。

10、根据权利要求9所述的碳化硅的用途，其特征是，该碳化硅用于生产含第十五号元 素低于10ppm、至少一种单一金属元素杂质含量低于100ppm的硅。

11、根据权利要求10所述的碳化硅的用途，其特征是，使用其他含碳元素的物质作补充 还原剂，以获得含第五号元素在0.005～10ppm的硅。

12、根据权利要求11所述的碳化硅的用途，其特征是，所述的其他含碳元素的物质取自 以下一组物质中的一种或数种：碳、金属碳化物。

13、根据权利要求10～12所述的碳化硅的用途，其特征是，将碳化硅还原硅石获得硅， 再将该硅经过以下一组处理中的一种或数种处理，每种处理做一到数次：在熔融态下 通气精炼、将熔融态的硅在真空中保温1450～1600℃处理、将熔融态的硅沿从底部 向上部或者相反的方向缓慢凝固后去除两端杂质含量高的部分、将硅做从一端向另一 端逐渐推移的区域法熔炼，以获得可以用作生产半导体硅材料的、含第五号元素 0.005～10ppm、含第十五号元素0.001～10ppm、总金属低于1ppm的硅原料。

14、根据权利要求13所述的碳化硅的用途，其特征是，将碳化硅和硅石混合原料置于竖 式容器中，加热容器内部的原料使其反应获得硅。

15、根据权利要求13所述的碳化硅的用途，其特征是，将碳化硅和硅石混合原料置于长 管状容器内加热获得硅。