[发明专利]可编程导体随机存取存储器以及用于检测它的方法

权利要求书

1.一种用于读取可变电阻存储器单元的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述单元的单元极板的电压设置为第一预定电压，其中所述单元的电阻元件的第一部分与其耦合；

将所述单元的存取晶体管的第一端子和参考导体充电为第二预定电压，其中所述第一端子与所述单元的列线耦合，其中所述晶体管的第二端子与所述电阻元件的第二部分耦合，并且其中所述第一端子和所述基准导体与比较器的各个输入端耦合；

将所述存取晶体管的栅极充电为第三预定电压，以便读取所述单元，其中所述栅极与所述单元的行线耦合；

经由所述电阻元件将所述第一端子从第二预定电压放电；并且

在所述放电动作开始之后的预定时间段，比较所述第一端子处的电压与所述第二预定电压，以便确定所述单元的逻辑状态。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二预定电压大于所述第一预定电压。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述放电动作包括：将所述第一端子从第四预定电压开始放电，所述第四预定电压与所述第二预定电压稍有不同，所述第四预定电压是由与所述列线相关联的寄生电容引起的。

4.如权利要求1所述的方法，还包括在已经读取了所述存储单元之后，将所述第三预定电压改变为足以对所述存储单元重写入电阻水平的水平。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述改变动作包括将所述第三预定电压提高到所述第二预定电压。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述改变动作包括将所述第三预定电压电平提高到大约Vdd。

7.如权利要求4所述的方法，还包括对所述存储单元重写入所述高电阻水平。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述设置动作包括将所述单元极板的所述电压设置为大约Vdd。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述设置动作包括将所述单元极板的电压设置为大约Vdd/2。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述对晶体管的第一端子进行充电的动作包括将所述第一端子和所述基准导体充电为大约Vdd。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述对栅极充电的动作包括将所述栅极充电为足以读取所述电阻元件的值，但是要低于能够对所述单元进行编程的值。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述对栅极进行充电的动作包括将所述栅极充电为所述第一和所述第二预定电压之间的电压电平。

13.如权利要求3所述的方法，其中所述对所述第一端子放电的动作包括将所述第一端子从大约Vdd加上附加电压开始放电。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述对所述第一端子放电的动作包括将所述第一端子从大约Vdd加上大约0.1V开始放电。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述比较动作包括在所述放电动作已经开始大约15-30ns之后，将第一端子处的电压与所述第二预定电压进行比较。

16.如权利要求1所述的方法，还包括确定所述存储单元具有逻辑高状态。

17.如权利要求1所述的方法，还包括确定所述存储单元具有逻辑低状态。

18.一种用于检测可变电阻存储器单元的存储值的方法，所述方法包括以下步骤：

将与所述单元的存取晶体管的第一端子耦合的数字线预充电为第一预定电压；

将所述单元的单元极板充电为第二预定电压，所述第二预定电压是0V和所述第一预定电压之间的值；并且

向与所述存取晶体管的栅极耦合的行线施加第三预定电压，如此使得所述可变电阻存储器单元两端产生的电压足以读取所述单元的逻辑状态，但是不足以对所述单元进行编程。