[发明专利]存储单元的编程方法有效
| 申请号： | 200810091745.8 | 申请日： | 2008-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101562044A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 单元 编程 方法 | ||
1. 一种存储单元的编程方法，该存储单元包括一衬底、位 于该衬底内的一漏极与一源极，以及位于该漏极与该源极之间的 该衬底上的一栅极，其中该栅极由该衬底往上依序为一第一氧化 物层、一氮化物层、一第二氧化物层以及一多晶硅层，其特征在 于，该编程方法包括：
进行一第一编程，对该栅极施加一第一栅极电压，该漏极施 加一第一漏极电压，该源极施加一第一源极电压，以及对该衬底 施加一第一衬底电压，以使电子由沟道热电子注入效应进入靠近 该漏极侧的该氮化物层中；以及
进行一第二编程，对该栅极施加一第二栅极电压，对该漏极 施加一第二漏极电压，对该源极施加一第二源极电压以及对该衬 底施加一第二衬底电压，以使电子由沟道热电子注入效应进入靠 近该源极侧的该氮化物层中，
其中该第二栅极电压小于该第一栅极电压。
2. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第一漏极电压与该第二源极电压相同，且该第一漏极电压 为固定值。
3. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第一漏极电压与该第二源极电压相同，且该第一漏极电压 呈阶梯式递增。
4. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第二源极电压小于该第一漏极电压。
5. 如权利要求4所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第一漏极电压与该第二源极电压为固定值。
6. 如权利要求4所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第一漏极电压与该第二源极电压呈阶梯式递增。
7. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第二栅极电压的脉冲宽度小于该第一栅极电压的脉冲宽 度。
8. 如权利要求7所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第二源极电压的脉冲宽度小于该第一漏极电压的脉冲宽 度。
9. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在于， 其中该第一、该第二栅极电压的差值大于0且小于等于0.15 倍的该第一栅极电压。
10. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在 于，其中该第一源极电压为0伏特。
11. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在 于，其中该第二漏极电压为0伏特。
12. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在 于，其中该第一衬底电压为0伏特。
13. 如权利要求1所述的存储单元的编程方法，其特征在 于，其中该第二衬底电压为0伏特。
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