[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列衬底，具有：

形成在衬底上的栅电极；

形成在上述栅电极上的栅极绝缘膜；

源电极以及漏电极，包括透明导电膜以及形成在上述透明导电膜上的金属膜，并形成在上述栅极绝缘膜上；

半导体膜，形成在上述源电极以及上述漏电极上，并且与上述源电极以及上述漏电极电连接；

从上述漏电极延伸形成的像素电极。

2.根据权利要求1的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

上述像素电极包括从上述漏电极所包括的透明导电膜延伸的透明导电膜。

3.根据权利要求2的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

上述像素电极包括从上述漏电极所包括的金属膜延伸的金属膜。

4.根据权利要求3的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

在上述像素电极内，具有未形成金属膜的区域。

5.根据权利要求3的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

在上述栅极绝缘膜和上述透明导电膜之间还具有凹凸图形，该凹凸图形以与上述像素电极的金属膜重复的方式形成并且具有凹凸形状。

6.根据权利要求5的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

上述凹凸图形由有机膜形成。

7.根据权利要求1～6中的任意一项的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

还具有形成在所述源电极以及所述漏电极与所述半导体膜之间的欧姆接触膜，

经由上述欧姆接触膜，上述半导体膜与上述源电极以及上述漏电极电连接。

8.根据权利要求7的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

上述欧姆接触膜是在Al、Cr、或Ti中添加有氧原子的导电性的金属氧化膜。

9.根据权利要求7的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

上述欧姆接触膜是导电性的金属氮化物。

10.根据权利要求1～6中的任意一项的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

上述半导体膜的下表面与上述源电极以及上述漏电极所包括的金属膜接触。

11.根据权利要求1～6中的任意一项的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，

上述半导体膜的下表面与上述源电极以及上述漏电极所包括的透明导电膜接触。

12.一种显示装置，其特征在于，

具有权利要求1的薄膜晶体管阵列衬底。

13.一种薄膜晶体管阵列衬底的制造方法，具有如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

以覆盖上述栅电极的方式形成栅极绝缘膜；

在上述栅极绝缘膜上形成透明导电膜；

在上述透明导电膜上形成金属膜；

利用多灰度曝光，在上述金属膜上形成具有膜厚差的抗蚀剂图形；

经由具有上述膜厚差的抗蚀剂图形，对上述透明导电膜以及上述金属膜进行刻蚀，形成源电极以及漏电极；

对具有上述膜厚差的抗蚀剂图形进行灰化，除去上述抗蚀剂图形的薄膜部；

经由上述上述薄膜部被除去的抗蚀剂图形，对上述金属膜进行刻蚀，形成像素电极；

在形成上述像素电极之后，除去上述薄膜部被除去的抗蚀剂图形，在上述源电极以及上述漏电极上形成半导体膜。

14.根据权利要求13的薄膜晶体管阵列衬底的制造方法，其特征在于，

还具有如下步骤：在形成上述栅极绝缘膜之后，在形成上述透明导电膜之前，在成为上述像素电极的区域的至少一部分上，形成凹凸图形；

在形成上述像素电极的步骤中，以在上述凹凸图形上残留上述金属膜的方式进行刻蚀。

15.根据权利要求14的薄膜晶体管阵列衬底的制造方法，其特征在于，

在形成上述凹凸图形的步骤中，在上述栅极绝缘膜上形成感光性树脂膜，利用多灰度曝光，形成具有膜厚差的上述凹凸图形。

16.根据权利要求15的薄膜晶体管阵列衬底的制造方法，其特征在于，

上述感光性树脂膜是抗蚀剂。

17.根据权利要求15的薄膜晶体管阵列衬底的制造方法，其特征在于，

上述感光性树脂膜是丙烯酸系的有机树脂膜。