[发明专利]芯片的导电结构

说明书

技术领域

本发明是关于一种芯片的导电结构；特别是关于一种芯片于高频信号下可获得阻抗匹配的导电结构。

背景技术

在集成电路的高度发展下，电路设计日益复杂，系统内部的各种元件也不断地缩小化，当晶圆上的集成电路制造完成后，便交由下游的封装厂进行晶圆切割及封装，而封装技术的好坏也对芯片的工作效能造成决定性的影响。

请参阅图1A至图1G，所示为现有芯片封装导电结构及其工艺。如图1A所示，芯片11预先具有焊盘(pad)131及第一保护层13，形成于芯片11的表面上，并部分暴露焊盘131。然后视设计需求，在部分暴露的焊盘131上形成第一凸块下金属层133(Under Bump Metal，UBM)，如图1B所示。其中，第一凸块下金属层133的材料是选自铬、钛、镍、铜或其合金材料。

然后，如图1C所示，利用一光罩光刻工艺，形成一图案化的重新分布层(Redistribution Layer，RDL)15，覆盖于第一凸块下金属层133及局部的第一保护层13上，其中重新分布层15的材料包含铝或铜等导电材料，与第一凸块下金属层133电性连接；利用重新分布层15的设计，使得后续形成的凸块可与焊盘131形成电性连接，不必局限于既有焊盘131的位置，故凸块的位置可依照需求设置，进而重新配置，以增加使用上的弹性。接着，如图1D所示，大面积地形成第二保护层17，以覆盖重新分布层15及第一保护层13，并利用光刻工艺进行图案化，以在适当位置局部暴露重新分布层15。

再参图1E，在局部暴露的重新分布层15上，形成第二凸块下金属层135。接着如图1F所示，在第二凸块下金属层135上镀焊一焊块19或植入锡球，以与第二凸块下金属层135呈电性连接。最后，可将图1F的焊块19进行回流焊(reflow)，便可得到球状的焊块19，如图1G所示。

然而，随着产品的需求及技术的进步，电子元件或芯片的工作频率愈来愈高，特别是在射频集成电路芯片或光学读取芯片的应用上，还时常需要利用高频信号进行操作。现有的封装导电结构应用在高频电路时，由于封装导电结构的阻抗不匹配，以致于高频信号由芯片11传输至封装导电结构时，部分信号反射而造成失真。

有鉴于此，设计适配的封装导电结构，使得芯片处于高工作频率时可兼顾阻抗匹配，乃为此一业界日益重视的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片的导电结构，包含一重新分布层、一凸块下金属层、一焊块、一接地层及一介电层。该重新分布层形成于芯片的上方，其具有第一导电区域及第二导电区域，其中该第一导电区域用以与芯片电性连接；而该凸块下金属层形成于重新分布层的第二导电区域上并与其电性连接；该焊块则形成于凸块下金属层上并与其电性连接。

本发明借助在现有芯片及重新分布层之间，增加接地层与介电层的配置，使得导电结构与芯片间具有阻抗匹配的效果，特别适用于传输高频信号。

为让本发明的上述目的、技术特征、和优点能更明显易懂，下文是以较佳实施例配合所附图式进行详细说明。

附图说明

图1A至1G为现有技术的芯片封装导电结构示意图；以及

图2A至图2H为本发明的较佳实施例的芯片封装导电结构示意图。

主要元件符号说明：

11    芯片                  13     第一保护层

131   焊盘                  133    第一凸块下金属层

135   第二凸块下金属层      15     重新分布层

17    第二保护层            19     焊块

2     导电结构              21     芯片

23    第一保护层            231    输入/输出焊盘

235    凸块下金属层      241    接地层

243    介电层            25     重新分布层

251    第一导电区域      253    第二导电区域

27     第二保护层        29     焊块

具体实施方式

图2G及图2H是本发明芯片21的导电结构2的示意图，导电结构2包含一接地层241、一介电层243、一重新分布层25、一凸块下金属层235及一焊块29。为清楚揭露本发明的结构，以下将顺序依第2A图至第2H图，详述本发明的较佳实施例。