[发明专利]有机场致发光装置

说明书

本发明对2007年4月25号申请的日本专利申请第2007-115137号和2007年4月25号申请的日本专利申请第2007-115138号主张优先权，并在此援用其内容。 

技术领域

本发明涉及有机场致发光装置。 

背景技术

近年，作为具备不需要背光灯等光源的自发光元件的显示装置，具备场致发光元件(以下称为有机EL元件)的有机EL装置受到关注。 

作为有机EL装置的构成，公知有如下构成，其中具备：设置在基板上的开关元件(例如TFT元件)、对TFT元件的形成所引起的凹凸进行缓和的平坦化层、设置在平坦化层上并与TFT元件电连接且形成为与各像素区域对应的像素电极、阴极、和被夹持在像素电极与阴极之间的有机发光层。而且，该构成中，在平坦化层上形成有接触孔，像素电极与TFT元件通过接触孔电连接。 

还有，在特开平5-275172号公报中，公开了具备用于防止邻接的像素区域间的像素电极的接触、或像素电极与阴极的接触的隔壁的有机EL装置。作为这样的隔壁的形成材料，使用与上述平坦化层的形成材料同样的丙烯酸树脂或聚酰亚胺等。 

但是，有机EL装置的制造工序中，在上述像素电极上形成有机发光层之前，作为除去例如由ITO(铟锡氧化物)构成的像素电极表面的污垢的表面清洗工序，进行等离子体处理。 

但是，若进行这样的等离子体处理，则因构成上述隔壁的丙烯酸树脂或聚酰亚胺的一部分被蚀刻而在像素电极上附着异物，像素电极的表面被污染，有可能使发光特性降低。 

因此，例如，在特开2005-216714号公报中公开了一种通过改良构成隔壁的有机材料来实现防止因等离子体处理引起的不良情况的技术。 

但是，为了良好地除去像素电极表面的污垢，希望进行利用了更强的等离子体的处理。 

但是，由于上述的特开2005-216714号公报所公开的隔壁材料由有机材料构成，因此对于有机材料的等离子体耐性而言是有限的。所以，上述有机材料难以具有充分的等离子体耐性。 

结果，因抑制等离子体处理的强度，会使得像素电极表面的清洗处理变得不充分。反之，使隔壁暴露于等离子体耐性以上的等离子体中实施等离子体处理，则像素电极的表面会被污染。这些原因有可能导致有机EL装置的发光特性降低。 

发明内容

本发明鉴于上述情况而实现，目的在于通过防止由等离子体表面处理引起的不良情况来提供在长时间内获得良好的发光特性的有机场致发光装置。 

为了解决上述课题，本发明的第一方式的有机场致发光装置，包括：基板；隔壁构造，其包围在所述基板上形成的像素区域，该隔壁构造具有：由无机材料构成的无机隔壁和由有机材料构成的有机隔壁所构成的层叠构造、由无机材料构成并对所述有机隔壁的表面进行覆盖的无机保护膜；像素电极，其与所述隔壁构造接触；有机发光层，其配置在所述像素电极上；和阴极，其覆盖所述有机发光层。 

根据本发明的有机场致发光装置，由于形成有覆盖有机隔壁的表面的无机保护膜，因此，例如在形成有机发光层时，即使在通过等离子体处理对像素电极表面进行了清洗的情况下，也能由无机保护膜防止有机隔壁受到等离子体损伤。 

由此，不会发生有机隔壁的形成材料的一部分因等离子体处理而被蚀刻使得其一部分作为异物附着在像素电极的表面造成的像素电极的污染。 

因此，能在像素电极上良好地形成有机发光层，可提供能在长时间内获得良好的发光特性的有机场致发光装置。 

而且，在上述有机场致发光装置中，优选所述无机保护膜以SiO、SiO_-2 、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一种为主体而构成。 

根据该构成，即使在进行了如上述的等离子体处理的情况下，也能良好地防止给有机隔壁带来损伤。 

并且，在上述有机场致发光装置中，优选所述无机保护膜的膜厚在50nm以上200nm以下。 

根据该构成，由于无机保护膜的膜厚在50nm以上，因此能获得充分的等离子体耐性。还有，由于无机保护膜的膜厚在200nm以下，因此能抑制因膜厚过厚而无机保护膜产生裂纹。 

再有，在上述有机场致发光装置中，优选所述有机发光层由气相法形成。 

根据该构成，在如上所述基于清洗处理防止了污染的像素电极上，能通过例如蒸镀法等的气相法来良好地形成有机发光层。因此，能提供可靠性高、可获得良好的发光特性的有机场致发光装置。