[发明专利]电子元件及其制备方法有效
申请号: | 200810092374.5 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101325121A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 桑岛一 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F27/29 | 分类号: | H01F27/29;H01F17/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电子元件,其包括:
由导电材料制成的第一导体;
由绝缘材料制成的并且被配置为覆盖所述第一导体的表面的绝缘体;
由导电材料制成的并且位于所述绝缘体的表面上的第二导体;
贯穿所述绝缘体的通孔;
被填充到所述通孔内以填埋所述通孔内部的空隙的填充物;以及
具有导电性的防护膜,所述防护膜被插入在所述第一导体和所述填充物之间,并且通过至少从构成所述通孔的底面的第一导体表面连续地延伸到所述通孔的内壁表面,以及进一步连续地延伸到在所述通孔周围的绝缘体的表面,在通孔内覆盖介于所述第一导体和绝缘体之间的界面,所述第一导体和第二导体通过具有导电性的防护膜电连接。
2.根据权利要求1所述的电子元件,
其中,第二导体是在所述电子元件的侧面上设置的侧面导体的一部分。
3.根据权利要求2所述的电子元件,
其中,将所述防护膜形成为进一步覆盖所述电子元件的侧面,以及
在所述防护膜上形成所述侧面导体。
4.根据权利要求1所述的电子元件,
其中,所述第二导体是在所述电子元件的顶面和底面中的任意一个面上设置的端电极。
5.根据权利要求1所述的电子元件,
其中,所述防护膜是至少具有任一种以下性能的膜:对包括脱脂液的表面活性物质处理流体的耐受性,对酸性化学品溶液的耐受性,对碱性化学品溶液的耐受性,对溶剂的耐受性,对醇的耐受性,对镀覆液的耐受性,对蚀刻液的耐受性,耐湿性,耐气体渗透性和耐腐蚀性。
6.根据权利要求1所述的电子元件,
其中,所述防护膜是通过气相生长法制成的薄膜。
7.根据权利要求1所述的电子元件,
其中,所述防护膜是含有以下任意一种作为主要组分的膜:Cr、Ni、Ti、Cu、W、Ag和Al。
8.根据权利要求1所述的电子元件,
其中,所述防护膜是含有导电颗粒的膜,所述导电颗粒具有等于或小于1.0μm的粒径。
9.一种用于制造电子元件的方法,其包括:
第一导体形成步骤,形成由导电材料制成的第一导体;
绝缘体形成步骤,形成由绝缘材料制成的绝缘体,该绝缘体被配置为覆盖所述第一导体的表面,并且设置有通孔;
通孔填充步骤,使用填埋通孔内部的空隙的填充物来填充所述通孔;以及
第二导体形成步骤,形成由导电材料制成的第二导体,该第二导体位于所述绝缘体的表面上,并且与所述第一导体电连接,
其中,在多个电子元件聚集在单个基底材料的情形下,至少实施所述第一导体形成步骤、所述绝缘体形成步骤和所述通孔填充步骤,以提供具有第一导体、绝缘体、通孔和填充物的各个电子元件,以及
然后将所述基底材料切割成片状元件,以获得多个单个的电子元件,
所述方法进一步包括:
防护膜形成步骤,在所述绝缘体形成步骤之后以及在所述通孔填充步骤之前,为每个聚集在基底材料上的电子元件提供防护膜,所述防护膜具有导电性,被插入在所述第一导体和所述填充物之间,并且通过至少从构成所述通孔的底面的第一导体表面连续地延伸到所述通孔的内壁表面,以及进一步连续地延伸到在所述通孔周围的绝缘体的表面,覆盖介于所述第一导体和在通孔内的绝缘体之间的界面。
10.根据权利要求9所述的用于制造电子元件的方法,
其中,通过设置连接导体和填充物中的任意一种使所述通孔的上表面被平滑化。
11.根据权利要求9所述的用于制造电子元件的方法,所述方法进一步包括:
抛光步骤,通过在通孔的内部设置连接导体和填充物中的任意一种之后,抛光连接导体和填充物中的任意一种的上表面,使所述通孔的上表面平滑化。
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