[发明专利]烧制用装架和蜂窝结构体的制造方法

权利要求书

1.一种烧制用装架，该烧制用装架是由架体和涂层组成的蜂窝成型体烧制用装架，所述架体用于安放以碳化硅为主要成分的柱状蜂窝成型体，并且该柱状蜂窝成型体以侧面向下的方式安放，所述涂层至少形成在所述架体的安放所述蜂窝成型体的安放面上，其特征在于，所述涂层的主要成分为碳化硅，基于JIS B 0601(2001)求出的所述涂层的算术平均高度Ra为10μm以下。

2.如权利要求1所述的烧制用装架，其中，所述涂层是利用气相法形成的致密层。

3.如权利要求2所述的烧制用装架，其中，所述气相法是化学气相渗透法。

4.如权利要求1～3任一项所述的烧制用装架，其中，所述涂层形成在所述架体的整个表面上。

5.如权利要求1或4所述的烧制用装架，其中，所述涂层是对由SiC涂层形成材料构成的SiC涂层进行研磨而形成的。

6.如权利要求5所述的烧制用装架，其中，所述SiC涂层形成材料是以氢化聚碳硅烷为主要成分的聚合物、含有SiC颗粒和SiO₂颗粒的混合物、含有表面形成了SiO₂膜的SiC颗粒的原料、或者含有Si和C的混合物。

7.如权利要求1、4、5、6中任一项所述的烧制用装架，其中，所述涂层由再结晶SiC或反应烧结SiC构成。

8.一种蜂窝结构体的制造方法，其是制造由蜂窝烧制体构成的蜂窝结构体的方法，在该方法中，

对以碳化硅为主要成分的陶瓷原料进行成型，制作柱状的蜂窝成型体，所述蜂窝成型体在长度方向隔着贯通孔壁形成有2个以上贯通孔；

对所述蜂窝成型体进行脱脂；

对脱脂后的所述蜂窝成型体进行烧制来制作所述蜂窝烧制体；

所述方法的特征在于，

将所述蜂窝成型体安放在烧制用装架中来对所述蜂窝成型体进行烧制；

所述烧制用装架由架体和涂层构成，所述架体用于安放所述蜂窝成型体，并且所述蜂窝成型体以侧面向下的方式安放，所述涂层至少形成在所述架体的安放所述蜂窝成型体的安放面上；

所述涂层的主要成分是碳化硅；

基于JIS B 0601(2001)求出的所述涂层的算术平均高度Ra为10μm以下。

9.如权利要求8所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，所述涂层是利用气相法形成的致密层。

10.如权利要求9所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，所述气相法是化学气相渗透法。

11.如权利要求8～10任一项所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，所述涂层形成在所述架体的整个表面上。

12.如权利要求8～11任一项所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，将所述蜂窝成型体隔着由碳构成的间隔物安放在所述烧制用装架中。

13.如权利要求8～12任一项所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，对所述蜂窝成型体进行脱脂时也使用所述烧制用装架，

将所述蜂窝成型体安放在所述烧制用装架中来对所述蜂窝成型体进行脱脂，

在脱脂后的所述蜂窝成型体被安放在所述烧制用装架中的状态下来对所述蜂窝成型体进行烧制。

14.如权利要求8、11、12、13中任一项所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，所述涂层是对由SiC涂层形成材料构成的SiC涂层进行研磨而形成的。

15.如权利要求14所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，所述SiC涂层形成材料是以氢化聚碳硅烷为主要成分的聚合物、含有SiC颗粒和SiO₂颗粒的混合物、含有表面形成了SiO₂膜的SiC颗粒的原料、或者含有Si和C的混合物。

16.如权利要求8、11、12、13、14、15中任一项所述的蜂窝结构体的制造方法，其中，所述涂层由再结晶SiC或反应烧结SiC构成。