[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200810092636.8 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101266976A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥徹雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，该半导体器件具有形成在半导体衬底上的半导体元件和设置在上述半导体元件周围的外围构造，其特征在于，上述外围构造具备：
形成在该外围构造的外围部分上且与上述半导体衬底电连接的第1电极；
形成在上述半导体元件的形成区与上述第1电极之间的上述半导体衬底上的绝缘膜；
局部地形成在上述绝缘膜上的一部分区域中且连接于上述第1电极与上述半导体元件中的、在上述半导体衬底上配置在最外侧的第2电极之间的多级反向连接二极管；和
在上述半导体衬底上形成为包围上述半导体元件的保护环，
其中，在上述多级反向连接二极管中，在没有形成上述保护环的区域上方的二极管的宽度比在形成了上述保护环的区域上方的二极管的宽度宽并且朝着上述宽度方向突出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
从俯视图上看，上述宽度宽的二极管的各自的形状是与上述保护环大致平行的线形形状。
3.一种半导体器件，该半导体器件具有形成在半导体衬底上的半导体元件和设置在上述半导体元件周围的外围构造，其特征在于，上述外围构造具备：
形成在该外围构造的外围部分上且与上述半导体衬底电连接的第1电极；
形成在上述半导体元件的形成区与上述第1电极之间的上述半导体衬底上的绝缘膜；
形成在上述绝缘膜上且连接于上述第1电极与在上述半导体元件中的上述半导体衬底上配置在最外侧的第2电极之间的多级反向连接二极管；和
在上述半导体衬底上形成为包围上述半导体元件的保护环，
其中，在上述多级反向连接二极管中，在一个上述保护环的上方仅配置单一导电类型的区域。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：
在上述多级反向连接二极管中，上述保护环上方的上述单一导电类型的区域的长度比上述保护环的宽度长，
上述单一导电类型的区域从上述保护环的上方朝着面向上述第1电极的方向突出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
