[发明专利]具有嵌入式多类型存储器的存储器结构

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包含：

一第一部分电路，是一第一类型的存储器，是一非易失性存储器，该 非易失性存储器为导体/储存体/导体的叠层结构所构成的一存储器；以及

一第二部分电路，是一第二类型的存储器，包括易失性存储器，或是 由导体/储存体/导体的叠层结构所构成的一非易失性存储器，

其中所述第一部分电路与所述第二部分电路构成一集成电路，且所述 第一部分电路直接制造于所述第二部分电路上。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中还包括一封装结 构，覆盖过该集成电路，以形成单一存储器芯片。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中所述非易失性存 储器包含：

每一存储器单元的储存元件，包含：

一底部电极层；

一储存体材料层，其安置于所述底部电极层上方，其中所述储存体材 料层在不同电操作条件下具有至少两种物理状态；以及

一顶部电极层，其安置于所述储存体材料层上方。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，其中还包含一引导元 件，所述引导元件安置于所述顶部电极层与所述底部电极层之间且串联地 电耦接至所述储存体材料层以便在读取及/或写入中控制操作的方向。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中所述非易失性存 储器包括相变随机存取存储器、反熔丝存储器、磁阻性随机存取存储器或 电阻性随机存取存储器。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中所述非易失性存 储器包含：

在不同高度层次中的多个电极层；

多个储存体材料层，其安置于所述电极层之间，其中所述储存体材料 层在不同电操作条件下具有至少两种物理状态。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，其中还包含多个引导 元件，所述引导元件安置于所述电极层之间且所述引导元件中的每一个串 联地电耦接至所述储存体材料层中的对应一个以便在读取及/或写入中控 制操作的方向。

8.一种电子设备，其特征在于，包含：

一主电路部；以及

一存储器部，其由所述主电路部用以将数据储存于所述存储器部内， 其中所述存储器部包含：

一第一部分电路，是一第一类型的存储器，是由导体/储存体/导体的 叠层结构所构成的一非易失性存储器；以及

一第二部分电路，是一第二类型的存储器，包括易失性存储器，或是 由导体/储存体/导体的叠层结构所构成的一非易失性存储器，

其中所述第一部分电路与所述第二部分电路构成一集成电路，且所述 第一部分电路直接制造于所述第二部分电路上。

9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，其中所述存储器部 还包括一封装结构，覆盖过该集成电路，以形成单一存储器芯片。

10.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，其中所述非易失 性存储器包含：

在每一存储器单元中的一储存元件，包含：

一底部电极层；

一储存体材料层，其安置于所述底部电极层上方，其中所述储存体材 料层在不同电操作条件下具有至少两种物理状态；以及

项部电极层，其安置于所述储存体材料层上方。

11.如权利要求10所述的电子设备，其特征在于，其中还包含引导 元件，所述引导元件安置于所述顶部电极层与所述底部电极层之间且串联 地电耦接至所述储存体材料层以便在读取及/或写入中控制操作的方向。

12.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，其中所述非易失 性存储器包括相变随机存取存储器、反熔丝存储器、磁阻性随机存取存储 器或电阻性随机存取存储器。