[发明专利]块修复装置及其方法

说明书

技术领域

本公开涉及半导体存储器件，而且更具体地，涉及用于动态随机存取存 储器(DRAM)单元的块修复装置及其方法。

背景技术

图1示出传统DRAM单元的框图，图2示出传统位线读出放大器的电 路图，而图3示出传统DRAM中的块隔离控制单元的电路图。

参照图1至3，由于上部和下部单元块共享读出放大器，通常使用位线 隔离(BIS)载体(bearer)以减少位线负荷。同样，由于将未选择块的位线 预充电到位线预充电电压VBLP，每个位线读出放大器中包括用于将位线预 充电到位线预充电电压VBLP的电路。未选择块的BIS应当处于高电平以使 得位线被预充电，而且BIS应当被控制以使得已选择块的读出放大器不影响 相邻块的位线。

图4示出传统DRAM单元中的电短路，而且示出位线与字线之间的短 路缺陷，而不是单元缺陷。该情况下，所述DRAM单元可以由缺陷位线或 字线修复电路修复，但是无法避免因电短路带来的电流消耗。这是因为当块 未被选择时总是激活信号BIS_UP或BIS_DN以预充电位线。如果电流消耗 不大，则无关紧要。然而，当电流消耗超过静态电流或VBLP产生装置的极 限时，就成为故障产品。

可以通过包括冗余单元并利用所述冗余单元替换缺陷单元来大大提高 传统DRAM的出产率。然而，当因单元块中的电短路带来的电流消耗超过 临界值时，所述单元无法被修复。

发明内容

本公开的各种实施例针对块修复装置及其方法，其用于在单元块中发生 电短路时通过将整个块电隔离并用冗余单元块替换所述单元块来修复电短 路。

在本公开的一个方面中，一种块修复装置包括：多个单元块；块修复熔 丝，配置用于输出所述多个单元块的修复信号；块隔离控制单元，配置用于 响应于所述块修复信号输出控制信号，以激活所述多个单元块、或将所述多 个单元块中的缺陷单元块电隔离；以及块修复选择器，配置用于响应于单元 块地址信号输出块修复选择信号，以用另外的单元块替换所述缺陷单元块。

在另一个方面中，一种块修复装置包括：多个单元块，配置用于存储数 据；冗余单元块，配置用于替换所述多个单元块中的缺陷单元块；块修复熔 丝，配置用于禁用所述缺陷单元块；块隔离控制单元，配置用于响应于所述 块修复熔丝的输出信号激活所述多个单元块和所述冗余单元块、并将所述缺 陷单元块电隔离；以及块修复选择器，配置用于响应于单元块地址信号输出 块修复选择信号，以用所述冗余单元块替换所述缺陷单元块。

在另一个方面中，一种块修复方法包括：利用测试模式信号检测多个单 元块中的特定块的电短路；当确定所述多个单元块中有缺陷单元块时，利用 块隔离控制单元将所述缺陷单元块电隔离；当输入单元块地址信号时，利用 块修复选择器确定所述单元块地址信号是否为所述缺陷单元块的地址信号； 以及当所述单元块地址信号为所述缺陷单元块的地址信号时，利用所述块隔 离控制单元用冗余单元块替换所述缺陷单元块。

附图说明

图1示出传统DRAM单元的框图；

图2示出传统位线读出放大器的电路图；

图3示出传统DRAM中的块隔离控制单元的电路图；

图4示出传统DRAM单元中的电短路；

图5示出根据本公开的示范性实施例的DRAM单元的块修复装置的框 图；

图6和7示出根据本公开的示范性实施例的块修复装置的电路图和示意 图；

图8示出图6和7中所示的块修复装置中的块隔离控制单元的电路；

图9A示出根据图6和7的示范性实施例的VDD电平关于信号Power_b 的曲线图；

图9B示出图6和7的块修复装置中的块修复熔丝的电路图；

图10示出图7的块修复装置中的块修复选择器的电路图；

图11示出根据本公开的另外的示范性实施例的块修复装置的框图。

具体实施方式

以下将参照附图通过示例和示范性实施例描述本发明。

图5示出根据本公开的示范性实施例的DRAM单元的块修复装置的框 图。