[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体元件的方法，其包括：

提供具有主表面的半导体材料，其中所述半导体材料包括布置在 基片上的第一外延层和布置在所述第一外延层的一部分上的第二外 延层，并且其中所述第一外延层位于所述基片和所述第二外延层之间 且与所述基片和所述第二外延层接触，所述第二外延层具有用作所述 半导体材料的所述主表面的表面，所述基片、所述第一外延层以及所 述第二外延层为第一传导性类型的，并且所述第二外延层的电阻系数 大于所述第一外延层的电阻系数；

在所述半导体材料中形成多个沟槽，其中所述多个沟槽中的第 一、第二、第三、第四和第五沟槽从所述主表面延伸进所述第二外延 层中，并且其中所述第一沟槽具有相对的第一和第二侧壁以及底部， 所述第二沟槽具有相对的第一和第二侧壁以及底部，所述第三沟槽具 有相对的第一和第二侧壁以及底部，所述第四沟槽具有相对的第一和 第二侧壁以及底部，所述第五沟槽具有相对的第一和第二侧壁以及底 部；

形成第一介质材料层、第二介质材料层、第三介质材料层、第四 介质材料层和第五介质材料层，所述第一介质材料层沿所述第一沟槽 的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述第二介质材料层沿所述第二 沟槽的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述第三介质材料层沿所述 第三沟槽的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述第四介质材料层沿 所述第四沟槽的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述第五介质材料 层沿所述第五沟槽的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述第一、第 二、第三、第四和第五介质材料层从所述主表面延伸到所述第一、第 二、第三、第四和第五沟槽的底部；

在所述第一沟槽中形成第一多晶硅栓并在所述第二沟槽中形成 第二多晶硅栓，所述第一多晶硅栓从所述主表面延伸到与所述第一沟 槽的底部相邻的区域，并且所述第二多晶硅栓从所述主表面延伸到与 所述第二沟槽的底部相邻的区域；以及

形成到所述第一和第二多晶硅栓以及到所述第二外延层的第一 部分的肖特基接触，所述第二外延层的所述第一部分与所述第一和第 二沟槽相邻。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第二外延层 的第二部分上形成边缘终端结构。

3.一种用于制造半导体元件的方法，其包括：

提供第一传导性类型的半导体基片；

在所述半导体基片上形成具有所述第一传导性类型和第一电阻 系数的第一外延层；

在所述第一外延层上形成具有所述第一传导性类型和第二电阻 系数的第二外延层，所述第一外延层与所述半导体基片和所述第二外 延层接触，所述第二电阻系数大于所述第一电阻系数，并且所述第二 外延层具有主表面；

在所述第二外延层中形成多个沟槽，其中所述多个沟槽中的第 一、第二、第三、第四和第五沟槽从所述主表面延伸进所述第二外延 层中，并且其中所述第一沟槽具有第一和第二相对侧壁以及底部，所 述第二沟槽具有第一和第二相对侧壁以及底部，所述第三沟槽具有相 对的第一和第二侧壁以及底部，所述第四沟槽具有相对的第一和第二 侧壁以及底部，所述第五沟槽具有相对的第一和第二侧壁以及底部；

形成第一介质材料层、第二介质材料层、第三介质材料层、第四 介质材料层和第五介质材料层，所述第一介质材料层沿所述第一沟槽 的第一和第二相对侧壁以及底部而形成，所述第二介质材料层沿所述 第二沟槽的第一和第二相对侧壁以及底部而形成，所述第三介质材料 层沿所述第三沟槽的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述第四介质 材料层沿所述第四沟槽的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述第五 介质材料层沿所述第五沟槽的第一和第二侧壁以及底部而形成，所述 第一、第二、第三、第四和第五介质材料层从所述主表面延伸到所述 第一、第二、第三、第四和第五沟槽的底部；

在所述第一沟槽中形成第一多晶硅栓并在所述第二沟槽中形成 第二多晶硅栓，所述第一多晶硅栓从所述主表面延伸到与所述第一沟 槽的底部相邻的区域，并且所述第二多晶硅栓从所述主表面延伸到与 所述第二沟槽的底部相邻的区域；以及

形成到所述第一和第二多晶硅栓以及到所述第二外延层的第一 部分的肖特基接触，所述第二外延层的所述第一部分与所述第一和第 二沟槽相邻。