[发明专利]横向DMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造具有体二极管的横向DMOS器件的方法，所述方法包括：

在第一导电类型半导体衬底上形成第二导电类型阱，以及在所述第二导电类型阱中形成漏极区和第一导电类型体区；

然后

在所述第一导电类型体区中形成第一导电类型杂质区；

然后

在除了将要形成保护二极管的区域以外的指定区域中靠近所述第一导电类型杂质区形成源极区；然后

在其中形成有所述源极区的所述半导体衬底的器件隔离区中形成场绝缘膜；然后

在其上形成有所述场绝缘膜的所述半导体衬底的栅极形成区中形成栅极绝缘膜和栅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过离子注入硼而形成所述第一导电类型体区。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述指定区域中，通过以40到100Kev的能量、1×10¹³到4×10¹⁴离子/cm²的浓度执行离子注入过程而形成所述第一导电类型体区。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，在将要形成所述保护二极管的区域中，通过以60至100KeV的能量、1×10¹⁴到7×10¹⁵离子/cm²的浓度执行离子注入过程而形成所述第一导电类型体区。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过离子注入砷而形成所述源极区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过以20到100KeV的能量、5×10¹⁴到1×10¹⁶离子/cm²的浓度执行离子注入过程而形成所述源极区。

7.一种横向DMOS器件，包括：

体二极管区，具有：第二导电类型阱区，形成在第一导电类型半导体衬底中，所述第二导电类型阱区包括各自形成在所述第二导电类型阱区中的第一导电类型体区和漏极区；第一导电类型杂质区，形成在所述第一导电类型体区中；源极区，形成在所述第一导电类型体区中；以及栅极绝缘膜和栅电极，形成在所述第一导电类型半导体衬底上，其中，所述第一导电类型体区和所述第二导电类型阱区构成体二极管；以及

保护二极管区，其中以预定间隔形成所述第一导电类型杂质区，其中，所述第一导电类型体区和所述第二导电类型阱区构成保护二极管。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，通过注入硼离子而形成所述第一导电类型体区。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，在所述体二极管区中，通过以40到100Kev的能量、1×10¹³到4×10¹⁴离子/cm²的浓度的离子注入过程形成所述第一导电类型体区。

10.根据权利要求8所述的器件，其中，在所述保护二极管区域中，通过以60至100KeV的能量、1×10¹⁴至7×10¹⁵离子/cm²的浓度的离子注入过程形成所述第一导电类型体区。

11.根据权利要求7所述的器件，其中，通过注入砷离子而形成所述源极区。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，通过以20到100KeV的能量、5×10¹⁴到1×10¹⁶离子/cm²的浓度的离子注入过程形成所述源极区。

13.一种制造横向DMOS器件的方法，包括：

在具有第一导电类型的半导体衬底中形成具有第二导电类型的阱；然后

在所述阱中形成具有所述第二导电类型的漏极区；然后与所述漏极区间隔开，在所述阱中形成具有所述第一导电类型的体区；然后

在所述体区中形成具有所述第一导电类型的杂质区，用于控制将被施加到所述体区的偏压；然后

在除了保护二极管区域之外的指定区域中，靠近所述杂质区形成具有所述第二导电类型的源极区；然后

在所述半导体衬底的器件隔离区中形成场绝缘膜；然后在包括所述体区和所述源极区的所述半导体衬底上形成栅极绝缘膜；以及

在所述栅极绝缘膜上以及部分地在所述场绝缘膜上形成栅电极。