[发明专利]积层式基板以及使用该基板的芯片封装构造

权利要求书

1、一种积层式基板，其特征在于，包含：

核心层，其具有第一表面与第二表面；

第一金属层，其形成于该核心层的该第一表面；

第二金属层，其形成于该核心层的该第二表面；

第一焊罩层，其形成于该核心层的该第一表面并覆盖该第一金属层；以及

第二焊罩层，其形成于该核心层的该第二表面并覆盖该第二金属层；

该第一焊罩层与该第二焊罩层具有大致相同的厚度，并且该第一焊罩层与该第二焊罩层具有不相同的热膨胀系数，以降低该积层式基板的翘曲度。

2、如权利要求1所述的积层式基板，其特征在于，该积层式基板还包含有粘晶层，其局部覆盖于该第二焊罩层上。

3、如权利要求第1或2所述的积层式基板，其特征在于，所述第一焊罩层的热膨胀系数小于该第二焊罩层的热膨胀系数。

4、如权利要求1或2所述的积层式基板，其特征在于，所述第一焊罩层的热膨胀系数大于该第二焊罩层的热膨胀系数。

5、如权利要求1所述的积层式基板，其特征在于，该积层式基板还具有通孔，其贯穿该第一焊罩层、该第一金属层、该核心层、该第二金属层以及该第二焊罩层。

6、如权利要求1或5所述的积层式基板，其特征在于，所述第一金属层为线路层并连接有两个或两个以上外接垫。

7、如权利要求6所述的积层式基板，其特征在于，所述第二金属层为线路层并连接有两个或两个以上内接指。

8、如权利要求6所述的积层式基板，其特征在于，所述第二金属层为虚置铜箔层，并且该第一金属层连接有两个或两个以上内接指。

9、一种使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，包含：

积层式基板，包含：

核心层，其具有第一表面与第二表面；

第一金属层，其形成于该核心层的该第一表面；

第二金属层，其形成于该核心层的该第二表面；

第一焊罩层，其形成于该核心层的该第一表面并覆盖该第一金属层；以及

第二焊罩层，其形成于该核心层的该第二表面并覆盖该第二金属层；

该第一焊罩层与该第二焊罩层具有大致相同的厚度，并且该第一焊罩层与该第二焊罩层具有不相同的热膨胀系数，以降低该积层式基板的翘曲度；

芯片，其设置于该第二焊罩层的上表面；

两个或两个以上电性连接元件，电性连接该芯片至该基板的第一金属层；以及

封胶体，其设置于该基板的该第二焊罩层的上表面上，以密封该芯片。

10、如权利要求9所述的使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，所述积层式基板还包含有粘晶层，其局部覆盖于该第二焊罩层上，以粘接该芯片。

11、如权利要求9或10所述的使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，所述第一焊罩层的热膨胀系数小于该第二焊罩层的热膨胀系数。

12、如权利要求9或10所述的使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，所述第一焊罩层的热膨胀系数大于该第二焊罩层的热膨胀系数。

13、如权利要求9所述的使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，所述积层式基板具有通孔，其贯穿该第一焊罩层、该第一金属层、该核心层、该第二金属层以及该第二焊罩层

14、如权利要求9或13所述的使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，所述第一金属层为线路层并连接有两个或两个以上外接垫。

15、如权利要求14所述的使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，所述第二金属层为线路层并连接有两个或两个以上内接指。

16、如权利要求14所述的使用积层式基板的芯片封装构造，其特征在于，所述第二金属层为虚置铜箔层，并且该第一金属层连接有两个或两个以上内接指。