[发明专利]一种去除残留缺陷的方法

权利要求书

1、一种去除残留缺陷的方法，其特征在于包括：

步骤1，提供一半导体结构，该半导体结构中具有已填充有第一金属层的接触窗；

步骤2，在上述半导体结构上再次沉积第二金属层；

步骤3，对沉积的第二金属层进行化学机械研磨处理。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤1中的半导体结构的形成方法是：在电介质层和接触窗结构中沉积阻障层，该阻障层覆盖包括接触窗下方的下层金属和构成接触窗的侧面的电介质层；在上述半导体结构上沉积第一金属层并利用其填充接触窗，而后对沉积的第一金属层进行金属回蚀，去除第一金属层和部分阻障层，形成上述半导体结构。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤2中，在第二金属层上具有金属残留，该金属残留在金属回蚀时产生。

4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的第一金属层在金属回蚀时被一次性刻蚀掉。

5、根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的阻障层是钛/氮化钛。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述第一金属层和/或第二金属层中的金属为钨。

7、根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤3中，采用包含纳米级二氧化硅的研磨液进行化学机械研磨处理。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于该方法在0.35μm-0.06μm的半导体制程中实现。