[发明专利]钻针的表面镀膜方法与镀膜钻针

权利要求书

1.一种钻针的表面镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

a，提供一钻针；

b，清洁该钻针的表面，并对该钻针加热；

c，在该钻针的表面形成一附着膜；

d，在该附着膜的表面形成一混合膜，该混合膜的成分含有一非晶质类钻石材料与该附着膜所含的成分，且在该混合膜中，越远离该钻针处，该非晶质类钻石材料的含量越高；以及

e，在该混合膜的表面形成一非晶质类钻石膜，用于制成一镀膜钻针。

2.根据权利要求1所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，该步骤b还包含以下步骤：

b1，将该钻针设置于一真空环境中；

b2，提供一外加电力而在该真空环境中产生一偏压电场；

b3，将至少一气体导入该真空环境，该气体为氢气或氩气；以及

b4，利用该偏压电场将该气体解离为一电浆状物质，以清洁该钻针的表面。

3.根据权利要求2所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在该步骤b中，该真空环境的一真空压力在初始时控制在1.5～4ubar；并在20分钟后调升至4～7ubar。

4.根据权利要求2所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在进行该步骤c时，共历时1～5分钟，并将该真空压力控制在4～7ubar；在进行该步骤d时，初始时，将该真空压力控制在4～7ubar，再过1～5分钟后，将该真空压力由4～7ubar调升至13～17ubar，并且维持5分钟时；在进行该步骤e时，将该真空压力设定在13～17ubar维持2分钟以形成该非晶质类钻石膜。

5.根据权利要求2所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在该步骤b中，该外加电力由一可调式电源供应器所提供，初始时，该外加电力的功率为300瓦，该偏压电场的一偏压值为300伏特；20分钟后，该输出电力的功率调升为600瓦、该偏压值调升为500～600伏特；之后，该输出电力的功率又调升为1000瓦，并将该偏压值调整为550伏特，维持20分钟以清洁该钻针的表面，并对该钻针予以加热。

6.根据权利要求2所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在进行该步骤c时，该偏压电场的一偏压值设定为550～600伏特；在进行该步骤d时，该偏压值由550～600伏特，调降为400～550伏特；在进行该步骤e时，该偏压值设定为1000伏特。

7.根据权利要求2所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在该步骤b中，该气体包含氢气及氩气，且该气体被解离后所形成的电浆状物质是电浆状的氢离子与氩离子。

8.根据权利要求7所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在该步骤b中，初始时，该气体中氢气与氩气流入该真空环境的流率分别设定为20sccm、50sccm；20分钟后，该气体中氢气与氩气的流率分别调升为45～60sccm与200～250sccm。

9.根据权利要求2所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在进行该步骤c时，该附着膜由一氢气以及一含硅气体经解离而沉积形成，该含硅气体为四甲基硅烷，该附着膜所含的成分包括有硅、碳化硅与碳氢化合物，该氢气流入该真空环境的流率控制在45～60sccm，且该含硅气体流入该真空环境的流率控制在180～250sccm。

10.根据权利要求2所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在进行该步骤d时，该混合膜由氢气、一含硅气体以及一含碳气体所解离而沉积形成。

11.根据权利要求10所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，在进行该步骤d时，初始时，该氢气、该含硅气体与该含碳气体流入该真空环境的流率分别设定为45sccm、180sccm与0sccm；经过1～5分钟后，该氢气、该含硅气体与该含碳气体流入该真空环境的流率分别调整为800sccm、50sccm与600sccm；再经过2～5分钟后，该氢气、该含硅气体与该含碳气体流入该真空环境的流率分别调整为800sccm、50sccm与0sccm，用于使该混合膜同时含有该非晶质类钻石以及该附着膜所含的成分。

12.根据权利要求10所述的钻针的表面镀膜方法，其特征在于，该含碳气体为乙炔，而该含硅气体为四甲基硅烷。