[发明专利]半导体器件和用于制造BOAC/COA的方法

说明书

相关申请交叉参考

本申请要求在35U.S.C.119的规定下对于韩国专利申请No.10-2007-0048576(于2007年5月18日提交)的优先权，其全文以引用方式整体结合于此。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域。

背景技术

如示例图1所示，半导体器件中的有源电路结构上的连接(bonding)(BOAC/COA)可以通过示例图2A到2E中所示的加工方案制造。

例如，如示例图2A所示，金属焊盘203和钝化氧化膜205可以通过半导体工艺形成在半导体(硅)衬底201上面和/或上方。此后，可以将可以由TiW组成的屏蔽金属(barrier metal)207沉积在金属焊盘203和钝化氧化膜205的整个表面的上面和/或上方。

如示例图2B所示，随后可以利用化学气相沉积(CVD)工艺将可以由Cu组成的金属种子(metal seed)209沉积在沉积的屏蔽金属207的整个表面上面和/或上方。此后，可以将光刻胶PR沉积在金属(Cu)种子209的整个表面上面和/或上方。

如示例图2C所示，随后可以通过使用被设计成结合焊盘形成区的中间掩模的曝光和显影工艺选择性去除沉积在整个表面上面和/或上方的PR的一部分，由此在金属种子209的顶部上形成限定结合焊盘形成区的PR图案211。

如示例图2D所示，随后，通过使用硫酸浴执行电镀工艺可以将金属层213沉积在限定结合焊盘形成区的PR图案211中。

如示例图2E所示，随后可以通过汽蒸工艺(steaming process)去除残余的PR图案211，随后选择性去除金属种子209的一部分，由此实施BOAC/COA的制造。

然而，在上述BOAC/COA的制造中，当如上所述地并如示例图2D中所示地那样实施利用硫酸浴的电镀工艺时，这与利用硫酸浴的用于融化PR的金属双嵌刻(metal dual damascene)技术相反，并且因此，金属沉积就非正常地进行。此外，在进行用于选择性去除金属种子209的一部分的汽蒸工艺的情况下，沉积在结合焊盘形成区中的材料也可以被损坏，因为它是与金属种子209相同的金属材料，由此有损于所获得的半导体装置的产量和可靠性。

发明内容

实施方式涉及半导体器件和用于制造BOAC/COA的方法，它们可以通过借助金属双嵌刻工艺来实施BOAC/COA从而降低成本并提高器件性能。

实施方式涉及半导体器件，其可包括下列的至少一个：形成在半导体衬底的整个表面之上的导电焊盘；形成在导电焊盘上的钝化氧化膜；被形成以限定将被形成在导电焊盘和钝化氧化膜的顶部上的结合焊盘区的金属；形成在金属的两个侧壁上的部分屏蔽膜；以及形成在屏蔽膜的两个侧壁上的局部金属种子。

实施方式涉及用于制造半导体器件的BOAC/COA的方法，该方法可包括下列步骤的至少一个：在半导体器件上形成导电焊盘和钝化氧化膜并在导电焊盘和钝化氧化膜的整个表面之上沉积氧化膜；以及随后形成用于限定将被形成在导电焊盘和钝化氧化膜上的结合焊盘区的氧化膜图案；以及随后在于形成氧化膜图案的步骤中形成的氧化膜图案的整个表面之上沉积屏蔽膜和金属种子；以及随后在沉积的金属种子的整个表面之上沉积金属；以及随后整平沉积的金属，直到氧化膜图案以及屏蔽膜和金属种子的一部分露出；以及随后通过蚀刻去除在沉积屏蔽膜和金属种子的步骤中露出的氧化膜图案来制造BOAC/COA。

附图说明

图1和图2A-2E示出了半导体器件的BOAC/COA结构和用于制造该结构的方法。

图3和图4A-4D示出了根据实施例的半导体器件的BOAC/COA结构和用于制造该结构的方法。

具体实施方式

下文中，可以存在根据本发明的多个实施例，并且将参照附图详细描述优选的实施例。对于本领域技术人员，本发明的目的、特征和优点将通过下面这个实施例的描述变得更加显而易见。

图3示出了半导体器件的BOAC/COA结构的垂直横截面视图，该结构可包括形成在半导体衬底401上面和/或上方的金属焊盘403和钝化氧化膜405。用于限定结合焊盘形成区的金属413可在金属焊盘403和钝化氧化膜405上面和/或上方形成。金属413可由诸如铜(Cu)的金属构成。可以由TiW组成的局部屏蔽金属409a可以在金属413的两侧壁上形成。可以由铜(Cu)组成的局部金属种子411a可在已形成的屏蔽金属409a的两侧壁上形成。