[发明专利]图案化金属氧化物层的制作方法

权利要求书

1.一种图案化金属氧化物层的制作方法，包括：

提供基板；

对该基板进行表面改性步骤；

对该基板进行数字打印步骤，于预形成图案化金属氧化物层的区域涂布催化剂；以及

进行低温化学镀膜步骤，以于该基板上的该区域沉积图案化金属氧化物层。

2.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该数字打印步骤为喷墨法。

3.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该催化剂包括金属离子化合物、纳米金属粒子、纳米合金金属粒子或金属氧化物粒子。

4.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该低温化学镀膜步骤的反应温度为小于100℃。

5.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该低温化学镀膜步骤所使用的还原剂包括醇类、二甲基胺硼烷、抗坏血酸、甲醛或联氨水合物。

6.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该图案化金属氧化物层的材料包括氧化锌、氧化铟、氧化铬、氧化锡、四氧化三铁、氧化锰、氧化银、氧化铅、氧化铜、氧化铊或氧化钛。

7.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该表面改性步骤为选自由紫外光臭氧处理步骤、等离子体处理步骤、自组装单层膜处理步骤与聚电解质高分子膜处理步骤所组成的群组。

8.如权利要求7所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该等离子体处理步骤包括常压等离子体处理步骤、蚀刻等离子体处理步骤或电感耦合等离子体处理步骤。

9.如权利要求7所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该等离子体处理步骤所使用的等离子体源包括臭氧、四氟化碳、六氟化硫、六氟乙烷、八氟丁烷、二氟甲烷或氩气。

10.如权利要求7所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该自组装单层膜处理步骤会在该基板上形成单层膜，该单层膜的成分为一端含长炼碳烷类，而另一端含-SH、-OH或-NH的官能基。

11.如权利要求7所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该自组装单层膜处理步骤包括利用浸泡法、旋转涂布法、喷墨法、胶版打印法、凸版打印法、凹版打印法或微接触打印法。

12.如权利要求7所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该聚电解质高分子膜处理步骤会在该基板上形成多层膜。

13.如权利要求7所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该聚电解质高分子膜处理步骤包括利用浸泡法、旋转涂布法、喷墨法、胶版打印法、凸版打印法、凹版打印法或微接触打印法。

14.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该基板包括玻璃基板、聚酯基板、有机玻璃纤维基板、可挠性有机玻璃纤维基板、聚亚酰胺基板、硅芯片、聚碳酸酯树脂基板或环氧树脂基板。

15.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中在进行该表面处理步骤之前，还包括对该基板进行清洁步骤。

16.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中在形成该图案化金属氧化物层之后，还包括进行除水步骤。

17.如权利要求16所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该除水步骤包括利用减低压力的方式或烘烤的方式。

18.如权利要求1所述的图案化金属氧化物层的制作方法，其中该方法应用于氧化物半导体元件工艺、磁性材料图案化工艺、无源元件的制作或高介电常数材料制作。